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公开(公告)号:CN108292919B
公开(公告)日:2022-04-29
申请号:CN201680066660.7
申请日:2016-10-27
Applicant: 株式会社自动网络技术研究所 , 住友电装株式会社 , 住友电气工业株式会社
Abstract: 在车辆用的开关电路(110)中,在第一主晶体管(Tr1)及第二主晶体管(Tr2)各自中,漏电极和栅电极之间的接通/断开根据栅电极和源电极之间的电压来切换。在第一主晶体管(Tr1)及第二主晶体管(Tr2)各自的漏电极之间连接有第一浪涌保护器(1)。第一浪涌保护器(1)将施加于第一浪涌保护器(1)的电压维持为第一规定电压以下。在第一主晶体管(Tr1)及第二主晶体管(Tr2)各自的栅电极和源电极之间设置有副晶体管(Tr3)。副晶体管(Tr3)在第一主晶体管(Tr1)及第二主晶体管(Tr2)截止了的情况下导通。
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公开(公告)号:CN108292919A
公开(公告)日:2018-07-17
申请号:CN201680066660.7
申请日:2016-10-27
Applicant: 株式会社自动网络技术研究所 , 住友电装株式会社 , 住友电气工业株式会社
Abstract: 在车辆用的开关电路(110)中,在第一主晶体管(Tr1)及第二主晶体管(Tr2)各自中,漏电极和栅电极之间的接通/断开根据栅电极和源电极之间的电压来切换。在第一主晶体管(Tr1)及第二主晶体管(Tr2)各自的漏电极之间连接有第一浪涌保护器(1)。第一浪涌保护器(1)将施加于第一浪涌保护器(1)的电压维持为第一规定电压以下。在第一主晶体管(Tr1)及第二主晶体管(Tr2)各自的栅电极和源电极之间设置有副晶体管(Tr3)。副晶体管(Tr3)在第一主晶体管(Tr1)及第二主晶体管(Tr2)截止了的情况下导通。
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公开(公告)号:CN105474542B
公开(公告)日:2018-09-25
申请号:CN201480046861.1
申请日:2014-08-19
Applicant: 株式会社自动网络技术研究所 , 住友电装株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC: H03K17/00 , H03K17/08 , H03K17/12 , H03K17/687
Abstract: 提供一种不内置保险丝也能够防止半导体元件的烧损的半导体装置。半导体装置构成为具备在直流电源以及负载(2)间并联连接的多个半导体元件(3、4),且将多个半导体元件(3、4)同时导通或者截止。具备:电压检测单元(9),检测多个半导体元件(3、4)及负载(2)的连接节点以及固定电位间的电压值;在多个半导体元件(3、4)截止的情况下,判定电压检测单元(9)所检测的电压值是否高于预定电压值的单元(1);以及在进行判定的单元(1)判定为高时,将多个半导体元件(3、4)导通的单元(1)。
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公开(公告)号:CN106063129A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201580011624.6
申请日:2015-02-20
Applicant: 株式会社自动网络技术研究所 , 住友电装株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC: H03K17/08 , H02H3/08 , H02H7/20 , H03K17/687
CPC classification number: H02H3/10 , H02H1/0007 , H02H3/006 , H02H3/085 , H02H3/087 , H03K17/0822
Abstract: 电流在作为开关发挥功能的FET(21、22)各自的漏极之间流动。第一恒流电路(25)使恒定的电流从电阻(R1)的FET(21)侧朝另一侧流动。第一比较器(26)在FET(22)的漏极的电位比电阻(R1)的靠第一恒流电路(25)侧的一端的电位高的情况下向控制部(23)输出高电平的电压。而且,第一比较器(26)在FET(22)的漏极的电位比电阻(R1)的靠第一恒流电路(25)侧的一端的电位低的情况下向控制部(23)输出低电平的电压。在第一比较器(26)输出了低电平的电压的情况下,控制部(23)使FET(21、22)分别断开。而且,控制部(23)变更第一恒流电路(25)中向电阻(R1)流动的电流。
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公开(公告)号:CN105637762A
公开(公告)日:2016-06-01
申请号:CN201480057218.9
申请日:2014-10-17
Applicant: 株式会社自动网络技术研究所 , 住友电装株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC: H03K17/08 , H02H3/087 , H03K17/687
CPC classification number: H03K17/0822 , H02H3/20 , H02H11/006 , H03K17/18 , H03K2217/0027
Abstract: 提供一种在过电流检测的屏蔽期间发生了接地的情况下也能够应对的过电流保护电路。该过电流保护电路在开关元件(7)导通时,检测基于流通的电流的开关元件(7)的两端的差电压值,在所检测到的差电压值大于预定电压值时,使开关元件(7)截止。构成为具备:分别单独地检测开关元件(7)的两端的电压值的检测电路(14);以及在检测电路(14)分别单独地检测到的电压值中的某一个值低于预定值时,禁止使开关元件7导通的构件(14)。
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公开(公告)号:CN106063129B
公开(公告)日:2019-03-22
申请号:CN201580011624.6
申请日:2015-02-20
Applicant: 株式会社自动网络技术研究所 , 住友电装株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC: H03K17/08 , H02H3/08 , H02H7/20 , H03K17/687
Abstract: 电流在作为开关发挥功能的FET(21、22)各自的漏极之间流动。第一恒流电路(25)使恒定的电流从电阻(R1)的FET(21)侧朝另一侧流动。第一比较器(26)在FET(22)的漏极的电位比电阻(R1)的靠第一恒流电路(25)侧的一端的电位高的情况下向控制部(23)输出高电平的电压。而且,第一比较器(26)在FET(22)的漏极的电位比电阻(R1)的靠第一恒流电路(25)侧的一端的电位低的情况下向控制部(23)输出低电平的电压。在第一比较器(26)输出了低电平的电压的情况下,控制部(23)使FET(21、22)分别断开。而且,控制部(23)变更第一恒流电路(25)中向电阻(R1)流动的电流。
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公开(公告)号:CN105637762B
公开(公告)日:2018-10-12
申请号:CN201480057218.9
申请日:2014-10-17
Applicant: 株式会社自动网络技术研究所 , 住友电装株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC: H03K17/08 , H02H3/087 , H03K17/687
Abstract: 提供一种在过电流检测的屏蔽期间发生了接地的情况下也能够应对的过电流保护电路。该过电流保护电路在开关元件(7)导通时,检测基于流通的电流的开关元件(7)的两端的差电压值,在所检测到的差电压值大于预定电压值时,使开关元件(7)截止。构成为具备:分别单独地检测开关元件(7)的两端的电压值的检测电路(14);以及在检测电路(14)分别单独地检测到的电压值中的某一个值低于预定值时,禁止使开关元件7导通的构件(14)。
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公开(公告)号:CN107251431A
公开(公告)日:2017-10-13
申请号:CN201680009346.5
申请日:2016-02-05
Applicant: 株式会社自动网络技术研究所 , 住友电装株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC: H03K17/00 , H03K17/08 , H03K17/687
Abstract: 提供一种电力供给装置,其具备电路动作的诊断功能,在通过诊断发现异常的情况下能够确定作为其原因的电路部件。通过一种电力供给装置来解决,其特征在于,包括:开关,设置于从主电源至负载的供电路径,并使该供电路径导通或切断;下游检测单元,对比所述开关靠所述负载侧的供电路径即负载侧供电路径的供电状态进行检测;比较单元,将所述负载侧供电路径的电压即下游电压与预定的阈值电压进行比较;以及控制部,被输入所述下游检测单元和所述比较单元的输出,所述控制部包括:开关控制单元,控制所述开关的接通和断开;以及导通判定单元,基于所述下游检测单元的输出而判定所述开关的接通和断开的状态。
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公开(公告)号:CN105474542A
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201480046861.1
申请日:2014-08-19
Applicant: 株式会社自动网络技术研究所 , 住友电装株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC: H03K17/00 , H03K17/08 , H03K17/12 , H03K17/687
CPC classification number: H02H3/207 , H02H1/0007 , H03K17/0822 , H03K17/102 , H03K17/122 , H03K2217/0063
Abstract: 提供一种不内置保险丝也能够防止半导体元件的烧损的半导体装置。半导体装置构成为具备在直流电源以及负载(2)间并联连接的多个半导体元件(3、4),且将多个半导体元件(3、4)同时导通或者截止。具备:电压检测单元(9),检测多个半导体元件(3、4)及负载(2)的连接节点以及固定电位间的电压值;在多个半导体元件(3、4)截止的情况下,判定电压检测单元(9)所检测的电压值是否高于预定电压值的单元(1);以及在进行判定的单元(1)判定为高时,将多个半导体元件(3、4)导通的单元(1)。
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