公开(公告)号：CN119480804A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202410987045.6

申请日：2024-07-23

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 植茶雅史 ,  南云裕司 ,  霜野贵也

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/78 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法。半导体装置(1)具备半导体衬底和设在半导体衬底的第1主面(2a)上的凸状的图案构造(6)；沿着第1方向距第1侧面(3a)为第1规定距离(D1)内的图案构造(6)和沿着第1方向距第2侧面(3b)为第1规定距离(D1)内的图案构造(6)相对于在第2方向上延伸的线是对称的；沿着第2方向距第3侧面(3c)为第2规定距离(D2)内的图案构造(6)和沿着第2方向距第4侧面(3d)为第2规定距离(D2)内的图案构造(6)相对于在第1方向上延伸的线是对称的。

公开(公告)号：CN118522688A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410176805.5

申请日：2024-02-08

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 霜野贵也 ,  岩桥洋平

IPC: H01L21/762 ,  H10N19/00

Abstract: 提供半导体装置及其制造方法。半导体装置具有元件区域和感测区域。元件区域内的栅极型开关元件具有多个栅极沟槽、栅极电极和将栅极电极的上表面覆盖的层间绝缘层。感测区域内的温度感测二极管具有阳极区域、阴极区域、设在上述阳极区域内的多个第1伪沟槽、配置在上述各第1伪沟槽内的第1绝缘层、设在上述阴极区域内的多个第2伪沟槽、和配置在上述各第2伪沟槽内的第2绝缘层。在具有开关元件和温度感测二极管的半导体装置中，适当地形成有层间绝缘层。