公开(公告)号：CN115706902A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210985614.4

申请日：2022-08-17

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 加藤博道 ,  大竹伸幸 ,  井上孝 ,  柴田贵行

IPC: H04R17/00

Abstract: 超声波发生器10包括具有第一谐振频率f1的扬声器元件51和具有第二谐振频率f2的扬声器元件52。第一谐振频率f1和第二谐振频率f2是扬声器10中的相邻谐振频率。元件之间的距离L被设定为使得来自第一扬声器元件的声音和来自第二扬声器元件的声音在目标位置具有预定关系。目标位置是位于目标空间中的对象上的两个或更多个位置。预定关系是来自第一扬声器元件的声音与来自第二扬声器元件的声音在第一谐振频率f1和第二谐振频率f2之间的中间频率fmid处相互加强的关系。

公开(公告)号：CN104220651A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201280072011.X

申请日：2012-11-01

Applicant: 株式会社丰田中央研究所 ,  株式会社电装

Inventor： 成田哲生 ,  伊藤健治 ,  冨田一义 ,  大竹伸幸 ,  星真一 ,  松井正树

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/08 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/045 ,  H01L33/007

Abstract: 得到在硅单晶基板上III族氮化物单晶进行阶梯流动生长的现象。在硅单晶基板的表面上形成取向成硅单晶的 轴的氧化物的膜，在该氧化物的膜的表面上使III族氮化物单晶进行结晶。由此，晶体生长的III族氮化物单晶的 轴取向成氧化物的c轴。如果对硅单晶基板赋予偏角，则III族氮化物单晶进行阶梯流动生长。通过将在硅单晶与氧化物的界面上形成的硅氧化物膜还原，氧化物的取向性得到改善。

公开(公告)号：CN104220651B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201280072011.X

申请日：2012-11-01

Applicant: 株式会社丰田中央研究所 ,  株式会社电装

Inventor： 成田哲生 ,  伊藤健治 ,  冨田一义 ,  大竹伸幸 ,  星真一 ,  松井正树

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/08 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/045 ,  H01L33/007

Abstract: 得到在硅单晶基板上III族氮化物单晶进行阶梯流动生长的现象。在硅单晶基板的表面上形成取向成硅单晶的 轴的氧化物的膜，在该氧化物的膜的表面上使III族氮化物单晶进行结晶。由此，晶体生长的III族氮化物单晶的 轴取向成氧化物的c轴。如果对硅单晶基板赋予偏角，则III族氮化物单晶进行阶梯流动生长。通过将在硅单晶与氧化物的界面上形成的硅氧化物膜还原，氧化物的取向性得到改善。