公开(公告)号：CN109923663B

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN201780068708.2

申请日：2017-10-19

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 山田明 ,  樱井晋也 ,  中野敬志 ,  近藤阳介 ,  本岛六都也

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 对于GGMOS的1个单元将N型体区域(5)配置多个，并且将N型体区域(5)的N型杂质浓度设定得较低，从而与阴极电极进行肖特基接触。具体而言，包围构成GGMOS的单元而将N型体区域(5)配置多个。由此，能够提高体接触电阻，能够提高基极电阻，所以能够更早地使寄生PNP晶体管导通。因而，能够可靠地抑制对被保护元件流过浪涌电流。

公开(公告)号：CN109923663A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201780068708.2

申请日：2017-10-19

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 山田明 ,  樱井晋也 ,  中野敬志 ,  近藤阳介 ,  本岛六都也

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 对于GGMOS的1个单元将N型体区域(5)配置多个，并且将N型体区域(5)的N型杂质浓度设定得较低，从而与阴极电极进行肖特基接触。具体而言，包围构成GGMOS的单元而将N型体区域(5)配置多个。由此，能够提高体接触电阻，能够提高基极电阻，所以能够更早地使寄生PNP晶体管导通。因而，能够可靠地抑制对被保护元件流过浪涌电流。