公开(公告)号：CN115735280A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202180046868.3

申请日：2021-06-30

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 萩野勇志 ,  合田健太

IPC: H01L29/78

Abstract: 在主单元区域(Rm)及感测单元区域(Rs)中形成有具有相同构造的纵型MOSFET的半导体装置中，感测单元区域被规定为将作为感测单元而形成的半导体开关元件的工作区域包围的四边形的区域，将与该主单元区域的一个方向、具体而言栅极布线层(8)的较长方向相同方向的尺寸设为横向尺寸，将与该横向尺寸垂直的方向的尺寸设为纵向尺寸，纵向尺寸为横向尺寸以上。

公开(公告)号：CN113302732B

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202080009119.9

申请日：2020-01-09

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 萩野勇志

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

Abstract: 在漂移层与体层(13)的层叠方向上，在一个方向上，主接触沟槽(19m)及形成于主单元区域(Rm)的第1杂质区域(14)比主上部电极(22m)更向感测上部电极(22s)侧突出，感测接触沟槽(19s)及形成于感测单元区域(Rs)的第1杂质区域(14)比感测上部电极(22s)更向主上部电极(22m)侧突出。

公开(公告)号：CN116210086A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202180052027.3

申请日：2021-08-24

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 合田健太 ,  野中裕介 ,  萩野勇志

IPC: H01L29/417

Abstract: 单元部(2)的沿着一个方向的长度设为第2杂质区域(14)的沿着一个方向的长度，第2杂质区域用接触区域(14b)从单元部(1)延伸设置至外周部(2)。并且，设第2杂质区域用接触区域(14b)的延伸设置到外周部(2)的部分的沿着一个方向的长度为突出长度d，设第2杂质区域(14)的沿着一个方向的长度为第2杂质区域长度A，突出长度d相对于第2杂质区域长度A的比即d/A为0.1以下。

公开(公告)号：CN113302732A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202080009119.9

申请日：2020-01-09

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 萩野勇志

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

Abstract: 在漂移层与体层(13)的层叠方向上，在一个方向上，主接触沟槽(19m)及形成于主单元区域(Rm)的第1杂质区域(14)比主上部电极(22m)更向感测上部电极(22s)侧突出，感测接触沟槽(19s)及形成于感测单元区域(Rs)的第1杂质区域(14)比感测上部电极(22s)更向主上部电极(22m)侧突出。