公开(公告)号：CN116364764A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211686457.3

申请日：2022-12-26

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 渡部敦 ,  永冈达司

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体器件包括具有矩形形状的半导体衬底，所述矩形形状包括在第一方向上延伸的边和在第二方向上延伸的另一边。所述半导体衬底在第一方向上的热导率不同于所述半导体衬底在第二方向上的热导率。所述半导体衬底配置为满足L1/L2＝(K1/K2)0.5的数学关系且容差范围为‑5％至+5％，其中L1表示所述半导体衬底在第一方向上的长度，L2表示半导体衬底在第二方向上的长度，K1表示半导体衬底在第一方向上的热导率，并且K2表示半导体衬底在第二方向上的热导率。

公开(公告)号：CN110875395B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201910777379.X

申请日：2019-08-22

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 渡部敦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供一种开关元件，使电子蓄积层的电阻降低并实现较高的栅极阈值。开关元件具有n型的源极层、与所述源极层接触的p型的主体层、n型的漂移层、栅极绝缘膜和栅电极。所述栅电极具有第一导电体和功函数比所述第一导电体低的第二导电体。所述第一导电体与所述栅极绝缘膜的覆盖所述主体层的部分接触。所述第二导电体与所述栅极绝缘膜的覆盖所述漂移层的部分接触。