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公开(公告)号：CN115700923A
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202210818484.5
申请日：2022-07-12
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/739 , H01L21/66 , H01L27/07 , H01L29/06 , G01R31/26
Abstract: 一种半导体器件包括主元件和感测元件。主元件和感测元件中的每一个包括漂移层、基极层、发射极区、栅极绝缘膜、栅电极和背面层。基极层位于漂移层上。发射极区位于基极层的表面层部分处。栅极绝缘膜布置在基极层的处于发射极区与漂移层之间的表面处。栅电极位于栅极绝缘膜上。背面层面对基极层，漂移层位于背面层与基极层之间。主元件中的背面层包括集电极层。感测元件中的背面层包括具有比集电极层低的杂质量的低杂质层。
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