公开(公告)号：CN111489973B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202010076372.8

申请日：2020-01-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 梶爱子 ,  山之内义明 ,  斋藤顺

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L21/66

Abstract: 一种半导体器件的制造方法包括：在第一导电类型层(5、40、50)上方形成第二导电类型层(6、41、51)；以及通过借助于等离子体蚀刻工艺蚀刻所述第二导电类型层以露出第一导电类型层而形成沟槽(11、43、53)。第二导电类型层的蚀刻包括：对等离子体的光发射执行光谱分析；基于发射强度的变化检测第一导电类型层和第二导电类型层之间的界面；以及在基于界面的检测结果确定终结点时，停止对第二导电类型层的蚀刻。

公开(公告)号：CN111489973A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN202010076372.8

申请日：2020-01-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 梶爱子 ,  山之内义明 ,  斋藤顺

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L21/66

Abstract: 一种半导体器件的制造方法包括：在第一导电类型层(5、40、50)上方形成第二导电类型层(6、41、51)；以及通过借助于等离子体蚀刻工艺蚀刻所述第二导电类型层以露出第一导电类型层而形成沟槽(11、43、53)。第二导电类型层的蚀刻包括：对等离子体的光发射执行光谱分析；基于发射强度的变化检测第一导电类型层和第二导电类型层之间的界面；以及在基于界面的检测结果确定终结点时，停止对第二导电类型层的蚀刻。