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发明公开
制造半导体晶片的方法审中-实审

公开(公告)号：CN115763218A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211070800.1

申请日：2022-09-02

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 野村飒大 , 河津知树 , 巴赫曼·苏丹尼 , 一色勇太朗 , 布目伸幸 , 冲田司朗 , 大西陆

IPC: H01L21/02 , H01L21/04 , B23K26/38

Abstract: 一种半导体晶片的制造方法包括：准备具有第一主表面和在第一主表面的背面的第二主表面的锭，剥离层沿着第一主表面形成在锭中；以及相对于沿第一主表面的表面方向从锭的外部向锭施加负荷，使得具有作为锭在表面方向上的第一端的支承点的力矩作用在锭上，从而从锭剥离晶片前体。此外，可以对锭施加动态力，使得沿着锭厚度方向的拉伸应力作用在锭沿表面方向的整个区域上，从而从锭剥离晶片前体。

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