公开(公告)号：CN115945799A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202211220832.5

申请日：2022-10-08

Applicant: 株式会社电装 ,  国立大学法人埼玉大学

Inventor： 巴赫曼·苏丹尼 ,  安田浩一朗 ,  高木亮汰 ,  河津知树 ,  傍岛骏介 ,  一色勇太朗 ,  野村飒大 ,  白井秀彰 ,  山田洋平 ,  池野顺一

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/06 ,  B23K26/70 ,  B28D5/04

Abstract: 一种用于晶片的制造方法，包括：将激光束辐射到待切断该晶锭的计划切断表面上；以及利用该激光束的辐射，在该计划切断表面处形成多个改造部(31)，以从该改造部延伸裂纹，从而对晶片进行切割，其中，该激光束的能量密度超过改造阈值(Eth)。该能量密度满足以下条件中的至少一个：该能量密度的峰值(Ep)小于或等于44J/cm2；在与该能量密度达到该改造阈值Eth的最浅位置对应的部分处的该能量密度的上升率(α)大于或等于1000J/cm3；以及该能量密度超过该改造阈值的深度范围(W)小于或等于30μm。

公开(公告)号：CN115763218A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211070800.1

申请日：2022-09-02

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 野村飒大 ,  河津知树 ,  巴赫曼·苏丹尼 ,  一色勇太朗 ,  布目伸幸 ,  冲田司朗 ,  大西陆

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/04 ,  B23K26/38

Abstract: 一种半导体晶片的制造方法包括：准备具有第一主表面和在第一主表面的背面的第二主表面的锭，剥离层沿着第一主表面形成在锭中；以及相对于沿第一主表面的表面方向从锭的外部向锭施加负荷，使得具有作为锭在表面方向上的第一端的支承点的力矩作用在锭上，从而从锭剥离晶片前体。此外，可以对锭施加动态力，使得沿着锭厚度方向的拉伸应力作用在锭沿表面方向的整个区域上，从而从锭剥离晶片前体。