公开(公告)号：CN104115271B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201380008616.7

申请日：2013-02-06

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 立野善英 ,  山城贵久 ,  余乡幸明

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14806 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14689 ,  H04N5/37213

Abstract: 一种固态成像装置包括：多个像素。将每一像素布置在半导体基板的表层部分处，并且每一像素包括：将入射光转换成电荷的光电转换部；存储电荷并且布置在半导体基板中的电荷保持部；与电荷保持部电容耦合并且经由绝缘膜布置在半导体基板上的倍增栅电极；以及电荷阻挡部，所述电荷阻挡部布置在电荷保持部和绝缘膜之间并且杂质浓度高于半导体基板。

公开(公告)号：CN104115271A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201380008616.7

申请日：2013-02-06

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 立野善英 ,  山城贵久 ,  余乡幸明

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14806 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14689 ,  H04N5/37213

Abstract: 一种固态成像装置包括：多个像素(10)。将每一像素(10)布置在半导体基板(20)的表层部分处，并且每一像素包括：将入射光转换成电荷的光电转换部(21)；存储电荷并且布置在半导体基板(20)中的电荷保持部(22)；与电荷保持部(22)电容耦合并且经由绝缘膜(34)布置在半导体基板(20)上的倍增栅电极(31)；以及电荷阻挡部(26)，所述电荷阻挡部(26)布置在电荷保持部(22)和绝缘膜(34)之间并且杂质浓度高于半导体基板(20)。