公开(公告)号：CN100420022C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200510099207.X

申请日：2005-09-09

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 山下安洋 ,  久纳理

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/60 ,  H02H9/04

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L27/0255 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件包括齐纳二极管和电阻，其中，该齐纳二极管连接在外部端子和地之间，该电阻与该齐纳二极管串联。该齐纳二极管和电阻对噪声电压进行分压，使得即使使用小齐纳二极管，该半导体器件也可以具有高噪声容限。

公开(公告)号：CN1750263A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510099207.X

申请日：2005-09-09

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 山下安洋 ,  久纳理

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/60 ,  H02H9/04

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L27/0255 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件包括齐纳二极管和电阻，其中，该齐纳二极管连接在外部端子和地之间，该电阻与该齐纳二极管串联。该齐纳二极管和电阻对噪声电压进行分压，使得即使使用小齐纳二极管，该半导体器件也可以具有高噪声容限。