公开(公告)号：CN1956173B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610136541.2

申请日：2006-10-25

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 森本昇 ,  藤泽雅彦 ,  儿玉大介

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/522 ,  H01L21/71 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/768 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供具备将密封环的结构最优化，从而确保作为相对于来自于切割部的切断面的水分的侵入和裂纹的伸展的屏障的功能的密封环的半导体器件以及其制造方法。在半导体衬底(1)上的电路形成区域和切割区域之间设置有密封环(100)。密封环(100)具有层叠剖面形状呈T字型的密封层的部分和层叠剖面形状呈矩形的密封层的部分。

公开(公告)号：CN1956173A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610136541.2

申请日：2006-10-25

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 森本昇 ,  藤泽雅彦 ,  儿玉大介

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/522 ,  H01L21/71 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/768 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供具备将密封环的结构最优化，从而确保作为相对于来自于切割部的切断面的水分的侵入和裂纹的伸展的屏障的功能的密封环的半导体器件以及其制造方法。在半导体衬底(1)上的电路形成区域和切割区域之间设置有密封环(100)。密封环(100)具有层叠剖面形状呈T字型的密封层的部分和层叠剖面形状呈矩形的密封层的部分。