公开(公告)号：CN115003936B

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202180009792.7

申请日：2021-01-21

Applicant: 株式会社理研

Inventor： 齐藤弘树 ,  本多启二 ,  岛祐司

IPC: F16J9/26 ,  F02F5/00

Abstract: 本发明的活塞环的制造方法包括(A)对活塞环的基材的表面进行清洗的工序、以及(B)在腔室内以覆盖基材的表面的至少一部分的方式通过物理气相沉积法形成含有Si和N的被膜的工序，在(B)工序中，为了形成满足以下条件的被膜，将腔室内的压力设定在2～6Pa的范围内，并且将偏置电压设定在‑5～‑18V的范围内。＜被膜的条件＞·Si量为1.1～7.5原子％的范围。·微晶尺寸为10～30nm的范围。·压缩残余应力为400～800MPa。

公开(公告)号：CN115003936A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202180009792.7

申请日：2021-01-21

Applicant: 株式会社理研

Inventor： 齐藤弘树 ,  本多启二 ,  岛祐司

IPC: F16J9/26 ,  F02F5/00

Abstract: 本发明的活塞环的制造方法包括(A)对活塞环的基材的表面进行清洗的工序、以及(B)在腔室内以覆盖基材的表面的至少一部分的方式通过物理气相沉积法形成含有Si和N的被膜的工序，在(B)工序中，为了形成满足以下条件的被膜，将腔室内的压力设定在2～6Pa的范围内，并且将偏置电压设定在‑5～‑18V的范围内。＜被膜的条件＞·Si量为1.1～7.5原子％的范围。·微晶尺寸为10～30nm的范围。·压缩残余应力为400～800MPa。