公开(公告)号：CN117438298A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202311406712.9

申请日：2023-10-27

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 周燕萍 ,  王鹤鸣 ,  左超 ,  杨秉君 ,  上村隆一郎

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明提供了一种U型沟槽碳化硅及其刻蚀方法与应用，所述刻蚀方法包括如下步骤：干法刻蚀设置有图形化掩膜的碳化硅衬底，完成U型沟槽的刻蚀；所述干法刻蚀所用工艺气体包括氧化气体、氟基刻蚀气体与SiF4。本发明提供的刻蚀方法，通过在干法刻蚀过程中添加SiF4，能够显著提高刻蚀的选择比，使制备的U型凹槽结构更为显著；而且，U型沟槽侧壁的垂直度高，有利于提高SiC器件的性能以及使用寿命。

公开(公告)号：CN218232549U

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202222225058.9

申请日：2022-08-24

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 张伟思 ,  樊子健 ,  左超 ,  杨秉君

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/04 ,  C23C14/56

Abstract: 本实用新型属于蒸镀技术领域，公开了一种真空蒸镀装置。该真空蒸镀装置包括腔体、主挡板、至少两个副挡板和挡板组件，腔体内设有至少两个蒸发源，蒸发源用于对待蒸镀基板镀膜，且蒸发源沿待蒸镀基板的中心轴线对称分布；主挡板靠近待蒸镀基板设置，且主挡板能选择性地遮挡蒸发源和待蒸镀基板之间的蒸镀通道；副挡板与蒸发源一一对应设置，且副挡板设于蒸发源的上方，副挡板能选择性地遮挡蒸发源和待蒸镀基板之间的蒸镀通道；挡板组件设于主挡板和副挡板之间，挡板组件包括至少两个平行且错开设置的第一挡板，挡板组件能选择性地遮挡蒸镀通道，挡板组件设有导通孔。本实用新型提供的真空蒸镀装置，能延长真空蒸镀装置的持续运行的时间。