公开(公告)号：CN106574390A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201480078098.0

申请日：2014-04-25

Applicant: 株式会社杰希优

Inventor： 大森隆史 ,  安田弘树 ,  安藤俊介

IPC: C25D7/12 ,  C25D3/38 ,  C25D13/22

CPC classification number: C25D7/12 ,  C25D3/38 ,  C25D5/02 ,  C25D5/08 ,  C25D5/34

Abstract: 本发明提供一种改变以往的铜镀敷温度、浓度、电流密度等或其他条件，加快对基板上形成的孔或沟进行填充的速度的技术。本发明提供一种以铜镀敷高速填充基板上形成的孔或沟的方法，其特征在于，将形成有孔或沟的基板浸渍于含铜离子、硫酸离子及卤化物离子且为30～70℃的酸性铜镀敷液中，以电流密度3A/dm2以上，使用不溶性电极作为阳极进行镀敷。