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公开(公告)号：CN111527696B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201880082671.3
申请日：2018-10-19
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/145
Abstract: 本发明提供一种能够在抑制活塞模式的阻碍的同时谋求ESD耐性的提高的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：压电体部(24)；IDT电极(3)，与第1端子(11)和第2端子(12)连接；和反射器(8)，与第2端子(12)连接。在IDT电极(3)中，在将IDT电极(3)中一组电极指之中在第2方向(D2)上位于一端的电极指设为第1端电极指，将位于另一端的电极指设为第2端电极指的情况下，第1端电极指在第2方向(D2)上位于反射器(8)与第2端电极指之间。第1汇流条(4)和第2汇流条(5)之中不与第1端电极指连接的汇流条的外侧汇流条部在第2方向(D2)上位于比第1端电极指的第1方向(D1)的中央部更靠内侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111527696A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201880082671.3
申请日：2018-10-19
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/145
Abstract: 本发明提供一种能够在抑制活塞模式的阻碍的同时谋求ESD耐性的提高的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：压电体部(24)；IDT电极(3)，与第1端子(11)和第2端子(12)连接；和反射器(8)，与第2端子(12)连接。在IDT电极(3)中，在将IDT电极(3)中一组电极指之中在第2方向(D2)上位于一端的电极指设为第1端电极指，将位于另一端的电极指设为第2端电极指的情况下，第1端电极指在第2方向(D2)上位于反射器(8)与第2端电极指之间。第1汇流条(4)和第2汇流条(5)之中不与第1端电极指连接的汇流条的外侧汇流条部在第2方向(D2)上位于比第1端电极指的第1方向(D1)的中央部更靠内侧。
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公开(公告)号：CN111492576B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201880081615.8
申请日：2018-10-19
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/145
Abstract: 本发明提供一种能够在抑制活塞模式的阻碍的同时谋求ESD耐性的提高的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：IDT电极(3)，与第1端子(11)和第2端子(12)连接；和反射器(8)，与第2端子(12)连接。在将IDT电极(3)的一组电极指之中位于第2方向(D2)上的一端的电极指设为第1端电极指，将位于另一端的电极指设为第2端电极指的情况下，第1端电极指至少在前端部具有宽幅部。第1端电极指在第2方向(D2)上位于反射器(8)与第2端电极指之间。第1汇流条和第2汇流条之中不与第1端电极指连接的汇流条的内侧汇流条部在第2方向(D2)上位于比第1端电极指的宽幅部更靠内侧，使得在第1方向(D1)上不与第1端电极指的宽幅部重叠。
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公开(公告)号：CN111492576A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201880081615.8
申请日：2018-10-19
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/145
Abstract: 本发明提供一种能够在抑制活塞模式的阻碍的同时谋求ESD耐性的提高的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：IDT电极(3)，与第1端子(11)和第2端子(12)连接；和反射器(8)，与第2端子(12)连接。在将IDT电极(3)的一组电极指之中位于第2方向(D2)上的一端的电极指设为第1端电极指，将位于另一端的电极指设为第2端电极指的情况下，第1端电极指至少在前端部具有宽幅部。第1端电极指在第2方向(D2)上位于反射器(8)与第2端电极指之间。第1汇流条和第2汇流条之中不与第1端电极指连接的汇流条的内侧汇流条部在第2方向(D2)上位于比第1端电极指的宽幅部更靠内侧，使得在第1方向(D1)上不与第1端电极指的宽幅部重叠。
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公开(公告)号：CN111492575B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201880081589.9
申请日：2018-10-19
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/145
Abstract: 在抑制活塞模式的阻碍的同时谋求ESD耐性的提高。将多个IDT电极(3)之中在第2方向(D2)上相邻的两个IDT电极(3)的一者设为第1IDT电极，将另一者设为第2IDT电极，此时，在第1IDT电极中，一组电极指之中最靠近第2IDT电极的第1电极指(6)包含第2方向(D2)的宽度比最靠近第2IDT电极的第1电极指(6)的第1方向(D1)的中央部(60)大的宽幅部(62)。在第1IDT电极中，关于最靠近第2IDT电极的第1电极指(6)，第1距离(L1)比第2距离(L2)短，该第1距离(L1)是沿着第1方向(D1)的中央部(60)的中心线(6X)和宽幅部(62)的第2IDT电极侧的外缘(621)的第2方向(D2)的最大距离，该第2距离(L2)是中央部(60)的中心线(6X)和宽幅部(62)的与第2IDT电极相反侧的外缘(622)的第2方向(D2)的最大距离。
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公开(公告)号：CN111492575A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201880081589.9
申请日：2018-10-19
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/145
Abstract: 在抑制活塞模式的阻碍的同时谋求ESD耐性的提高。将多个IDT电极(3)之中在第2方向(D2)上相邻的两个IDT电极(3)的一者设为第1IDT电极，将另一者设为第2IDT电极，此时，在第1IDT电极中，一组电极指之中最靠近第2IDT电极的第1电极指(6)包含第2方向(D2)的宽度比最靠近第2IDT电极的第1电极指(6)的第1方向(D1)的中央部(60)大的宽幅部(62)。在第1IDT电极中，关于最靠近第2IDT电极的第1电极指(6)，第1距离(L1)比第2距离(L2)短，该第1距离(L1)是沿着第1方向(D1)的中央部(60)的中心线(6X)和宽幅部(62)的第2IDT电极侧的外缘(621)的第2方向(D2)的最大距离，该第2距离(L2)是中央部(60)的中心线(6X)和宽幅部(62)的与第2IDT电极相反侧的外缘(622)的第2方向(D2)的最大距离。
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