公开(公告)号：CN111937164B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN201980023578.X

申请日：2019-03-04

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 藤本贤治 ,  姫田高志 ,  多田敏博 ,  鸟塚哲郎 ,  镝木新治

IPC: H01L31/10 ,  H01S5/028

Abstract: 具有台面部的光半导体元件(100)具备基板(1)和设置在基板1上的半导体层(2，3，4)。光半导体元件(100)进一步具备第1接触电极(5)、设置在半导体层上的第2接触电极(6)、与第1接触电极(5)连接的第1引出配线(7)、与第2接触电极(6)连接的第2引出配线(8)以及设置为至少覆盖半导体层的上表面和第2接触电极(6)的绝缘膜(9)。第2引出配线(8)介由绝缘膜(9)的开口(9a)与第2接触电极(6)连接。至少连接第2接触电极(6)与第2引出配线(8)的部分的第2接触电极(6)的外周端位于比与半导体层的连接部分的外周端更靠上方且外侧，内周端位于比与半导体层的连接部分的内周端更靠上方且内侧。

公开(公告)号：CN111937164A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201980023578.X

申请日：2019-03-04

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 藤本贤治 ,  姫田高志 ,  多田敏博 ,  鸟塚哲郎 ,  镝木新治

IPC: H01L31/10 ,  H01S5/028

Abstract: 具有台面部的光半导体元件(100)具备基板(1)和设置在基板1上的半导体层(2，3，4)。光半导体元件(100)进一步具备第1接触电极(5)、设置在半导体层上的第2接触电极(6)、与第1接触电极(5)连接的第1引出配线(7)、与第2接触电极(6)连接的第2引出配线(8)以及设置为至少覆盖半导体层的上表面和第2接触电极(6)的绝缘膜(9)。第2引出配线(8)介由绝缘膜(9)的开口(9a)与第2接触电极(6)连接。至少连接第2接触电极(6)与第2引出配线(8)的部分的第2接触电极(6)的外周端位于比与半导体层的连接部分的外周端更靠上方且外侧，内周端位于比与半导体层的连接部分的内周端更靠上方且内侧。