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发明公开
雾化CVD成膜装置和成膜方法审中-实审

公开(公告)号：CN117836466A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202280053839.4

申请日：2022-11-02

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 白木宏 , 菅大介 , 岛川祐一

IPC: C23C16/448 , H01L21/31 , H01L21/368

Abstract: 本发明是一种雾化CVD成膜装置(1)，具备成膜室(10)和加热器(20)：成膜室(10)具备：使包含成膜原料的雾和载气的成膜雾(6)流入的开口即雾流入口(12)、载置成膜对象物(30)的工作台(11)以及使成膜雾(6)流出的开口即雾流出口(13)；加热器(20)加热工作台(11)；将在工作台(11)上方以与成膜雾(6)的流通方向正交的截面进行切断而得的切断面中的成膜室(10)内的空间的截面积即成膜室内截面积(S1)、与以与成膜雾(6)的流通方向正交的截面切断雾流出口(13)而得的切断面中的雾流出口(13)的空间的截面积即流出口截面积(S2)进行比较时，流出口截面积(S2)比成膜室内截面积(S1)小。

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