公开(公告)号：CN112242255B

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202010683573.4

申请日：2020-07-15

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 笹林武久 ,  石部清志郎 ,  上野健之 ,  福盛爱 ,  鹤明大 ,  滨田大介

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  C04B35/468 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明提供一种能够抑制层叠体内部的构造缺陷的产生的层叠型电子部件及该层叠型电子部件的制造方法。层叠型电子部件具备包括被层叠的多个电介质层和多个内部电极层的层叠体。在将板状物的与厚度方向正交的长径相对于厚度之比设为纵横比时，电介质层具有平均厚度为300nm以下且平均纵横比为5以上的作为板状物的多个第一晶粒。内部电极层具有平均厚度为150nm以下且平均纵横比为5以上的作为板状物的多个第二晶粒。

公开(公告)号：CN112349518A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202010775391.X

申请日：2020-08-04

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 石部清志郎 ,  滨田大介

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01G4/005

Abstract: 本发明提供一种能够确保高可靠性的层叠型电子部件。电介质层作为元素包含Ba、Ti、Si、作为稀土类元素的Re、以及M(M是从Mn、Ni、Co、Fe、Cr、Cu、Mg、Li、Al、Mo、W以及V之中选择的至少一种元素)。层叠体具有多个内部电极层分别隔着电介质层相对的电极相对部和包围电极相对部的外周部。在用摩尔份表示了电极相对部中的电介质层包含的元素的量的情况下，在将Ti的量设为100时，Si的量a为0.01≤a≤0.1，Re的量b为0.1≤b≤3.0，M的量c为0.2≤c≤5.0。Ba的量相对于Ti的量之比m为0.965≤m≤0.990。

公开(公告)号：CN112349518B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202010775391.X

申请日：2020-08-04

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 石部清志郎 ,  滨田大介

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01G4/005

Abstract: 本发明提供一种能够确保高可靠性的层叠型电子部件。电介质层作为元素包含Ba、Ti、Si、作为稀土类元素的Re、以及M(M是从Mn、Ni、Co、Fe、Cr、Cu、Mg、Li、Al、Mo、W以及V之中选择的至少一种元素)。层叠体具有多个内部电极层分别隔着电介质层相对的电极相对部和包围电极相对部的外周部。在用摩尔份表示了电极相对部中的电介质层包含的元素的量的情况下，在将Ti的量设为100时，Si的量a为0.01≤a≤0.1，Re的量b为0.1≤b≤3.0，M的量c为0.2≤c≤5.0。Ba的量相对于Ti的量之比m为0.965≤m≤0.990。

公开(公告)号：CN112242255A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202010683573.4

申请日：2020-07-15

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 笹林武久 ,  石部清志郎 ,  上野健之 ,  福盛爱 ,  鹤明大 ,  滨田大介

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  C04B35/468 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明提供一种能够抑制层叠体内部的构造缺陷的产生的层叠型电子部件及该层叠型电子部件的制造方法。层叠型电子部件具备包括被层叠的多个电介质层和多个内部电极层的层叠体。在将板状物的与厚度方向正交的长径相对于厚度之比设为纵横比时，电介质层具有平均厚度为300nm以下且平均纵横比为5以上的作为板状物的多个第一晶粒。内部电极层具有平均厚度为150nm以下且平均纵横比为5以上的作为板状物的多个第二晶粒。