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公开(公告)号：CN115989555A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202180052265.4
申请日：2021-08-23
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G11/30
Abstract: 提供一种导电性二维粒子及其制造方法，氯与溴的合计含有率在一定水平以下，适合无卤素用途，此外不用使用粘合剂就能够形成高导电性薄膜。上述导电性二维粒子，是至少包含1个层的层状材料的导电性二维粒子，所述层包括：由下式：MmXn(式中，M是至少一种的第3、4、5、6、7族金属，X是碳原子、氮原子或其组合，n为1以上且4以下，m大于n并在5以下)表示的层主体；存在于该层主体表面的修饰或末端T(T是从羟基、氟原子、氯原子、氧原子和氢原子所构成的群中选择的至少一种)，含有单价的金属离子，不含胺，氯与溴的合计含有率为1500质量ppm以下，所述导电性二维粒子的二维面的长径的平均值为1.0μm以上且20μm以下。
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