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公开(公告)号:CN119856513A
公开(公告)日:2025-04-18
申请号:CN202380064696.1
申请日:2023-04-24
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 深町浩平
IPC: H04R23/00
Abstract: 本发明提供能够产生更高的声压的热激发型的压力波产生元件。本发明的压力波产生元件是热激发型的压力波产生元件,其中,具备:第一固体绝缘层,具有第一主面;第一金属层,设置于第一固体绝缘层的第一主面;第二金属层,在第一固体绝缘层的厚度方向上与第一金属层隔开距离地配置;第一电极,与第一金属层的一端侧以及第二金属层的一端侧电连接;以及第二电极,与第一金属层的另一端侧以及第二金属层的另一端侧电连接,第一固体绝缘层位于第一金属层与第二金属层之间。
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公开(公告)号:CN107210105A
公开(公告)日:2017-09-26
申请号:CN201680007338.7
申请日:2016-01-06
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 深町浩平
IPC: H01C7/02 , C04B35/468
Abstract: 一种半导体元件,它是包含含有陶瓷烧结体粒子的陶瓷坯体、配置在陶瓷坯体的两端面的第一外部电极和第二外部电极的半导体元件,其中,陶瓷烧结体粒子是至少含有Ba和Ti的钙钛矿型化合物;陶瓷烧结体粒子的平均粒径为0.4μm以上且1.0μm以下;陶瓷烧结体粒子的接触率在45%以上,所述接触率根据以扫描型电子显微镜对半导体元件的一截面中所选择的一区域进行观察所算出的存在于一区域内的陶瓷烧结体粒子的周长合计、存在于一区域内的孔的周长合计、一区域的外周长、以及存在于一区域内的陶瓷烧结体粒子的接触长度的值而算出。
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