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公开(公告)号：CN101939150A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200980104522.3
申请日：2009-02-06
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: B29C45/0005 , B29C45/0046 , B82Y25/00 , G01R33/0047 , G01R33/093
Abstract: 本发明涉及一种注塑成形件及磁传感器，该注塑成形件消除各处部位的成形收缩量的差别，抑制翘曲而注塑成成形。箱体(1)通过注塑成形分散有长纤维填料(9)的树脂材料而成，具有侧面板(3、4)以及底面板(2)。侧面板(3、4)以及底面板(2)各自的长纤维填料(9)的平均的取向方向大致平行。侧面板(3、4)形成有在注塑成形时使长纤维填料(9)的取向方向局部紊乱的取向阻碍部(8A)。通过由取向阻碍部(8A)控制长纤维填料(9)的取向，能够调整箱体(1)的变形。
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公开(公告)号：CN101939150B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN200980104522.3
申请日：2009-02-06
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: B29C45/0005 , B29C45/0046 , B82Y25/00 , G01R33/0047 , G01R33/093
Abstract: 本发明涉及一种注塑成形件及磁传感器，该注塑成形件消除各处部位的成形收缩量的差别，抑制翘曲而注塑成成形。箱体(1)通过注塑成形分散有长纤维填料(9)的树脂材料而成，具有侧面板(3、4)以及底面板(2)。侧面板(3、4)以及底面板(2)各自的长纤维填料(9)的平均的取向方向大致平行。侧面板(3、4)形成有在注塑成形时使长纤维填料(9)的取向方向局部紊乱的取向阻碍部(8A)。通过由取向阻碍部(8A)控制长纤维填料(9)的取向，能够调整箱体(1)的变形。
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公开(公告)号：CN1922504B
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200580005188.8
申请日：2005-02-23
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: G01R33/09
Abstract: 多个磁阻元件(2b，2c，2d)的多个磁敏部分(20b，20c，20d)以及多个磁铁(5b，5c，5d)实际上各自沿与待检测物体移动方向正交的直线布置。所述磁铁(5b，5c，5d)的磁极方向交替相反，从而使得在相邻磁铁之间，与形成磁阻元件(2b，2c，2d)的磁敏部分的平面垂直的磁通量方向相反。当待检测物体的磁性物质(101cd)存在时，使沿从磁铁(5c)到磁铁(5d)方向穿过磁敏部分(20c，20d)的磁通量的强度改变。因此，通过磁阻元件(2c，2d)的磁阻变化，可以检测这种磁性物质(101cd)。
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公开(公告)号：CN100543489C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200580001372.5
申请日：2005-03-07
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/09
Abstract: 长尺型磁传感器包括：磁阻器件(11C)，其中具有两个沿长度方向按相等间隔(D1)布置的平行的磁敏元件阵列(121C，122C)。磁敏元件阵列(121C，122C)分别通过连接导体(123C，124C)串联连接成曲折图样。磁阻器件(11C)设置于磁阻器件(11B)和(11D)之间。磁阻器件(11B，11C，11D)被布置成使间隔(D2)等于间隔(D1)，所述间隔(D2)是在磁阻器件(11C)端部的磁敏元件(121C)与面对磁阻器件(11C)的磁敏元件的磁阻器件(11D)端部的磁敏元件(121D)之间的间隔，以及磁阻器件(11C)另一端的磁敏元件(121C)与面对磁阻器件(11C)另一端的磁敏元件的磁阻器件(11B)端部的磁敏元件(121B)之间的间隔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1238911C
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN01121978.5
申请日：2001-06-22
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01L43/12 , H01L21/02381 , H01L21/02466 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02549 , H01L21/02631 , H01L21/02658 , H01L43/14
Abstract: 提出一种高载流子迁移率半导体薄膜的制造方法和配用该方法制造的半导体薄膜的磁电转换元件。将硅单晶衬底的温度升至270℃～320℃，用电子束加热型真空蒸发法形成铟缓冲层，接着形成由锑与铟组成的原始籽晶层。将硅单晶衬底的温度升至460℃～480℃，之后设置一段由硅单晶衬底预定的温度函数近似算出的保持时间，于是形成了由锑与铟组成的主生长层。
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公开(公告)号：CN102159963A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200980137089.3
申请日：2009-09-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明实现一种尽量不会加大框体且设置容易，并且能够可靠且高精度地检测构成被检测体的磁性图案的带磁部的长度或宽度的磁性传感器。磁性传感器(1’)具有俯视时为长方形状的框体(11’)，沿着该框体(11’)的长度方向，排列设置有多个磁性检测电路元件(10)。各个磁性检测电路元件(10)由平行地配置了长条状的磁性电阻元件(MR1)和恒电阻元件(R1)的结构构成，并且配置成各个磁性检测电路元件(10)的长度方向平行。此外，相对于框体(11’)，将各个磁性检测电路元件(10)配置成框体(11’)的纵长方向与各个磁性检测电路元件(10)的纵长方向构成不平行或不正交的规定角(θ)。并且，将该磁性传感器(1’)配置成框体(11’)的纵长方向与被检测体(900)的传送方向正交。
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公开(公告)号：CN1922504A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200580005188.8
申请日：2005-02-23
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: G01R33/09
Abstract: 多个磁阻元件(2b，2c，2d)的多个磁敏部分(20b，20c，20d)以及多个磁铁(5b，5c，5d)实际上各自沿与待检测物体移动方向正交的直线布置。所述磁铁(5b，5c，5d)的磁极方向交替相反，从而使得在相邻磁铁之间，与形成磁阻元件(2b，2c，2d)的磁敏部分的平面垂直的磁通量方向相反。当待检测物体的磁性物质(101cd)存在时，使沿从磁铁(5c)到磁铁(5d)方向穿过磁敏部分(20c，20d)的磁通量的强度改变。因此，通过磁阻元件(2c，2d)的磁阻变化，可以检测这种磁性物质(101cd)。
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公开(公告)号：CN1330391A
公开(公告)日：2002-01-09
申请号：CN01121978.5
申请日：2001-06-22
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01L43/12 , H01L21/02381 , H01L21/02466 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02549 , H01L21/02631 , H01L21/02658 , H01L43/14
Abstract: 提出一种高载流子迁移率半导体薄膜的制造方法和配用该方法制造的半导体薄膜的磁电转换元件。将硅单晶衬底的温度升至270℃～320℃,用电子束加热型真空蒸发法形成铟缓冲层,接着形成由锑与铟组成的原始籽晶层。将硅单晶衬底的温度升至460℃～480℃,之后设置一段由硅单晶衬底预定的温度函数近似算出的保持时间,于是形成了由锑与铟组成的主生长层。
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公开(公告)号：CN1898577A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200580001372.5
申请日：2005-03-07
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/09
Abstract: 长尺型磁传感器包括：磁阻器件(11C)，其中具有两个沿长度方向按相等间隔(D1)布置的平行的磁敏元件阵列(121C，122C)。磁敏元件阵列(121C，122C)分别通过连接导体(123C，124C)串联连接成曲折图样。磁阻器件(11C)设置于磁阻器件(11B)和(11D)之间。磁阻器件(11B，11C，11D)被布置成使间隔(D2)等于间隔(D1)，所述间隔(D2)是在磁阻器件(11C)端部的磁敏元件(121C)与面对磁阻器件(11C)的磁敏元件的磁阻器件(11D)端部的磁敏元件(121D)之间的间隔，以及磁阻器件(11C)另一端的磁敏元件(121C)与面对磁阻器件(11C)另一端的磁敏元件的磁阻器件(11B)端部的磁敏元件(121B)之间的间隔。
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