公开(公告)号：CN1330391A

公开(公告)日：2002-01-09

申请号：CN01121978.5

申请日：2001-06-22

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 植田雅也 ,  佐藤友春 ,  西川雅永

IPC: H01L21/20 ,  H01L43/08 ,  H01L43/06 ,  G01B7/00

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L43/14

Abstract: 提出一种高载流子迁移率半导体薄膜的制造方法和配用该方法制造的半导体薄膜的磁电转换元件。将硅单晶衬底的温度升至270℃～320℃,用电子束加热型真空蒸发法形成铟缓冲层,接着形成由锑与铟组成的原始籽晶层。将硅单晶衬底的温度升至460℃～480℃,之后设置一段由硅单晶衬底预定的温度函数近似算出的保持时间,于是形成了由锑与铟组成的主生长层。

公开(公告)号：CN1238911C

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN01121978.5

申请日：2001-06-22

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 植田雅也 ,  佐藤友春 ,  西川雅永

IPC: H01L43/12 ,  H01L21/20 ,  H01L43/06 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L43/14

Abstract: 提出一种高载流子迁移率半导体薄膜的制造方法和配用该方法制造的半导体薄膜的磁电转换元件。将硅单晶衬底的温度升至270℃～320℃，用电子束加热型真空蒸发法形成铟缓冲层，接着形成由锑与铟组成的原始籽晶层。将硅单晶衬底的温度升至460℃～480℃，之后设置一段由硅单晶衬底预定的温度函数近似算出的保持时间，于是形成了由锑与铟组成的主生长层。