平面介质集成电路
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1193825A

    公开(公告)日:1998-09-23

    申请号:CN98105409.9

    申请日:1998-02-27

    CPC classification number: H01L23/66 H01L2924/0002 H01L2924/3011 H01L2924/00

    Abstract: 提供了一种平面介质集成电路,从而平面介质线与电子元件之间的能量转换损耗较小且在它们之间容易获得阻抗匹配。通过设置与电路衬底的两个主表面都相对的隙缝,构成了两个平面介质线。为了进行线转换,在包括隙缝的第一平面介质线的末端部分处设置连到隙缝线和第一平面介质线的电磁场的隙缝线和第一线转换导体图案。在包括隙缝的第二平面介质线的末端部分处设置使第二线转换导体图案沿与第二平面介质线垂直的方向伸出的共面线。

    平面介质集成电路
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1134844C

    公开(公告)日:2004-01-14

    申请号:CN98105409.9

    申请日:1998-02-27

    CPC classification number: H01L23/66 H01L2924/0002 H01L2924/3011 H01L2924/00

    Abstract: 提供了一种平面介质集成电路,从而平面介质线与电子元件之间的能量转换损耗较小且在它们之间容易获得阻抗匹配。通过设置与电路衬底的两个主表面都相对的槽,构成了两个平面介质线。在包括槽的第一平面介质线的端部设置有槽线和第一线转换导体图案,该第一线转换导体图案连到槽线与第一平面介质线的电磁场以进行线转换。在包括槽的第二平面介质线的末端部分处设置使第二线转换导体图案沿与第二平面介质线垂直的方向伸出的共面线。以在共面线和槽线上延伸的方式放置的半导体器件。

Patent Agency Ranking