公开(公告)号：CN107851515A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680043776.9

申请日：2016-07-22

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 荒川建夫 ,  井上德之 ,  佐伯洋昌 ,  岩地直树

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明提供一种电容器，具有以下部分而构成：导电性多孔基材，具有多孔部；电介质层，位于多孔部上；以及上部电极，位于电介质层上，所述电容器的特征在于，在导电性多孔基材的多孔部中，细孔间的基材厚度相对于电介质层的厚度为1.2倍以下的部分存在多孔部整体的5％以上，电介质层由化合物形成，该化合物由起源与导电性多孔基材不同的原子构成。

公开(公告)号：CN113661581A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202080027445.2

申请日：2020-04-06

Applicant: 株式会社村田制作所 ,  原子能与替代能源委员会

Inventor： 弗雷德里克·瓦龙 ,  朱利安·埃尔萨巴希 ,  中川博 ,  岩地直树 ,  久伊·帕拉特

IPC: H01L49/02 ,  H01G4/01 ,  H01G4/33

Abstract: 三维电容性结构(150)可以通过在多孔阳极氧化物的区域(152a)中的孔(151)上方共形地形成电容性堆叠(153至155)来产生。多孔阳极氧化物区域设置在包括抗阳极氧化层和互连层(159)的导电层(158、159)的堆叠上。在孔中，非常接近于孔底部存在具有受限直径(D)的位置(P)。在阳极氧化物的区域(152a)中的第一百分比的孔中，形成电容性堆叠(153至155)的功能部分(F)，以便延伸到孔中，不超过直径受限的位置(P)。可能存在于抗阳极氧化层(159)中的裂纹对电容性结构的特性具有降低的影响。可以容忍抗阳极氧化层(159)的厚度增加，使得整个电容性结构的等效串联电阻能够降低。

公开(公告)号：CN107406975A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680015281.5

申请日：2016-03-08

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 岩地直树

IPC: C23C16/04 ,  H01G4/12 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明提供一种原子层沉积抑制材料，其由氟含量为30at％以上，具有至少1个叔碳或季碳，且不具有酯基、羟基、羧基及酰亚胺基的含氟树脂构成。

公开(公告)号：CN115039190A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202180010918.2

申请日：2021-03-23

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 增成晃生 ,  林幸子 ,  岩地直树

IPC: H01G4/33 ,  H01G2/10 ,  H01G4/228 ,  H01G9/012

Abstract: 电容器(1A)具备：绝缘基板(10)；电容形成部(20)，包含金属多孔体(21)、电介质膜(22)以及导电膜(23)；以及密封部(30)，对电容形成部(20)进行密封。电容形成部(20)设置在绝缘基板(10)的第1主面(10a)上。在金属多孔体(21)连接有包含从第1主面(10a)侧朝向第2主面(10b)侧贯通绝缘基板(10)的第1过孔导体(13)的第1外部连接布线，在导电膜(23)连接有包含从第1主面(10a)侧朝向第2主面(10b)侧贯通绝缘基板(10)的第2过孔导体(14)的第2外部连接布线。在沿着第1主面(10a)的法线方向观察的情况下，第1过孔导体(13)以及第2过孔导体(14)均设置在配置了电容形成部(20)的区域内。

公开(公告)号：CN107406975B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201680015281.5

申请日：2016-03-08

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 岩地直树

IPC: C23C16/04 ,  H01G4/12 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明提供一种原子层沉积抑制材料，其由氟含量为30at％以上，具有至少1个叔碳或季碳，且不具有酯基、羟基、羧基及酰亚胺基的含氟树脂构成。

公开(公告)号：CN105960691A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201580006908.6

申请日：2015-01-09

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 佐伯洋昌 ,  井上德之 ,  荒川建夫 ,  岩地直树

IPC: H01G9/052 ,  H01G4/08 ,  H01G4/10 ,  H01G9/00

CPC classification number: H01G9/07 ,  H01G9/0029 ,  H01G9/0032 ,  H01G9/032 ,  H01G9/04 ,  H01G9/045 ,  H01G9/052 ,  H01G9/055 ,  H01G9/15

Abstract: 本发明提供一种不易受到多孔金属基材表面的杂质的影响，漏电流小，可靠性高的电容器。本发明的电容器具有：多孔金属基材；第1缓冲层，其通过原子层沉积法形成于上述多孔金属基材上；电介质层，其通过原子层沉积法形成于上述第1缓冲层上；和上部电极，其形成于上述电介质层上。

公开(公告)号：CN115039190B

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202180010918.2

申请日：2021-03-23

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 增成晃生 ,  林幸子 ,  岩地直树

IPC: H01G4/33 ,  H01G2/10 ,  H01G4/228 ,  H01G9/012

Abstract: 电容器(1A)具备：绝缘基板(10)；电容形成部(20)，包含金属多孔体(21)、电介质膜(22)以及导电膜(23)；以及密封部(30)，对电容形成部(20)进行密封。电容形成部(20)设置在绝缘基板(10)的第1主面(10a)上。在金属多孔体(21)连接有包含从第1主面(10a)侧朝向第2主面(10b)侧贯通绝缘基板(10)的第1过孔导体(13)的第1外部连接布线，在导电膜(23)连接有包含从第1主面(10a)侧朝向第2主面(10b)侧贯通绝缘基板(10)的第2过孔导体(14)的第2外部连接布线。在沿着第1主面(10a)的法线方向观察的情况下，第1过孔导体(13)以及第2过孔导体(14)均设置在配置了电容形成部(20)的区域内。

公开(公告)号：CN107851515B

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201680043776.9

申请日：2016-07-22

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 荒川建夫 ,  井上德之 ,  佐伯洋昌 ,  岩地直树

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明提供一种电容器，具有以下部分而构成：导电性多孔基材，具有多孔部；电介质层，位于多孔部上；以及上部电极，位于电介质层上，所述电容器的特征在于，在导电性多孔基材的多孔部中，细孔间的基材厚度相对于电介质层的厚度为1.2倍以下的部分存在多孔部整体的5％以上，电介质层由化合物形成，该化合物由起源与导电性多孔基材不同的原子构成。