成膜装置及成膜方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107267959B

    公开(公告)日:2020-12-15

    申请号:CN201710192799.2

    申请日:2017-03-28

    Inventor: 吉田武史

    Abstract: 本发明提供能够减少向压力传感器附着的成膜物质,延长压力传感器的寿命的成膜装置及成膜方法。原料气体供给部用于成膜处理,向成膜室(10)供给含有成膜成分的原料气体,第二气体配管(90)用于成膜处理,将与原料气体不同的处理气体从蓄存该处理气体的处理气体蓄存部向成膜室(10)供给。对成膜室(10)的内部的压力进行测量的压力传感器(50)安装于第二气体配管(90)。控制部在从原料气体供给部向成膜室(10)供给原料气体期间,以使处理气体在第二气体配管(90)中流动而从处理气体蓄存部向成膜室(10)供给的方式进行控制。

    成膜装置及成膜方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107267959A

    公开(公告)日:2017-10-20

    申请号:CN201710192799.2

    申请日:2017-03-28

    Inventor: 吉田武史

    Abstract: 本发明提供能够减少向压力传感器附着的成膜物质,延长压力传感器的寿命的成膜装置及成膜方法。原料气体供给部用于成膜处理,向成膜室(10)供给含有成膜成分的原料气体,第二气体配管(90)用于成膜处理,将与原料气体不同的处理气体从蓄存该处理气体的处理气体蓄存部向成膜室(10)供给。对成膜室(10)的内部的压力进行测量的压力传感器(50)安装于第二气体配管(90)。控制部在从原料气体供给部向成膜室(10)供给原料气体期间,以使处理气体在第二气体配管(90)中流动而从处理气体蓄存部向成膜室(10)供给的方式进行控制。

    原子层沉积装置
    5.
    实用新型

    公开(公告)号:CN203159709U

    公开(公告)日:2013-08-28

    申请号:CN201320122884.9

    申请日:2013-03-18

    Abstract: 本实用新型提供原子层沉积装置。其具有光特性测定装置(41)和ALD成膜室。光特性测定装置(41)具有电源(42)、探头(43)、测定装置(44)、承载台(45)和控制部(48)。探头(43)为接受来自发光装置(10)的光的受光体。测定装置(44)测定探头(43)接受的光的同时,输出作为测定结果的色度。控制部(48)控制光特性测定装置(41)的动作整体。

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