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公开(公告)号:CN101680106B
公开(公告)日:2012-04-18
申请号:CN200880008728.1
申请日:2008-05-09
Applicant: 株式会社昆腾14
CPC classification number: B23H3/06 , B23H3/08 , C25D5/022 , C25D5/04 , C25D17/001 , C25D17/10 , C25D17/12 , C25F3/12 , C25F3/14 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 以硅基材(1)作为阳极、以微细的铂部件(2)作为阴极,在它们之间夹有电解液(4)的状况下,在混合存在多孔质形成和电解研磨的两模式的条件下以恒流模式进行阳极氧化。伴随着硅的溶解,铂部件(2)嵌入硅基材(1)中,进行钻孔、切断、单侧按压等的加工。由于使用能量少,能在室温下加工,所以加工表面的结晶品质不会降低。由此,无须使用以往的太阳能电池用硅基材的切断等的加工中的材料消耗大的机械方法和能量单价高的激光等,且不会在加工面上残留结晶损伤,能够高效率地进行高精度的加工。
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公开(公告)号:CN101680106A
公开(公告)日:2010-03-24
申请号:CN200880008728.1
申请日:2008-05-09
Applicant: 株式会社昆腾14
CPC classification number: B23H3/06 , B23H3/08 , C25D5/022 , C25D5/04 , C25D17/001 , C25D17/10 , C25D17/12 , C25F3/12 , C25F3/14 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 以硅基材(1)作为阳极、以微细的铂部件(2)作为阴极,在它们之间夹有电解液(4)的状况下,在混合存在多孔质形成和电解研磨的两模式的条件下以恒流模式进行阳极氧化。伴随着硅的溶解,铂部件(2)嵌入硅基材(1)中,进行钻孔、切断、单侧按压等的加工。由于使用能量少,能在室温下加工,所以加工表面的结晶品质不会降低。由此,无须使用以往的太阳能电池用硅基材的切断等的加工中的材料消耗大的机械方法和能量单价高的激光等,且不会在加工面上残留结晶损伤,能够高效率地进行高精度的加工。
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公开(公告)号:CN101023532A
公开(公告)日:2007-08-22
申请号:CN200480043689.0
申请日:2004-07-27
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L51/52 , H01L51/0059 , H01L51/5092
Abstract: 本发明提供一种发光元件,具有:具备层叠了具有背面电极的半导体或者导电性衬底、生成热电子或者准弹道或弹道电子的生成层、发光层以及半透明表面电极的构造,或者在同一构造的元件的发光层和半透明表面电极之间设置了空穴供给层的构造,用比注入型或者本征EL还少的电流注入量从红外到紫外整个范围内实现高效率的发光。
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