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公开(公告)号:CN116157899A
公开(公告)日:2023-05-23
申请号:CN202180017378.0
申请日:2021-07-19
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明的目的在于,提供能减少腔室内的反应生成物、残留HF的技术。半导体制造装置具备:导入口,其对处理容器内部的处理室内导入包含氟化氢以及醇的蒸汽的处理用的气体;样品台,其配置于所述处理室内,在其上表面装载处理对象的晶片;和导入机构,其对所述导入口导入极性分子气体。
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公开(公告)号:CN112673449A
公开(公告)日:2021-04-16
申请号:CN201880097383.5
申请日:2018-09-25
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/06
Abstract: 本发明使从热场发射电子源发射的电子束的量稳定化。因此,对热场发射电子源设置减少因加热第一电极而释放的气体量的构造,该热场发射电子源具有针状的电子源(301)、固定电子源并加热电子源的金属线(302)、固定于绝缘子并对金属线进行通电的心柱(303)、具有第一开口部304a并且电子源的前端从第一开口部突出地配置的第一电极(304)、具有第二开口部(306a)的第二电极(306)、以及以第一开口部的中心轴与第二开口部的中心轴一致的方式对第一电极和第二电极进行定位,获得第一电极与第二电极的电绝缘的绝缘体(307)。
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公开(公告)号:CN113646864A
公开(公告)日:2021-11-12
申请号:CN201980094952.5
申请日:2019-04-18
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/06 , H01J37/073
Abstract: 使得从带电粒子线装置的电子枪稳定地放出大电流的电子线。具备电子枪,其具有:SE尖端(202)、配置在比SE尖端的前端更靠后方的抑制器(303);和由底面和筒部构成的杯子形状的引出电极(204),在引出电极中内含SE尖端和抑制器,在抑制器与引出电极之间具有保持它们的绝缘子(208),在抑制器与引出电极的圆筒部之间设置具有圆筒部(302)的导电性金属的遮蔽电极(301),对该遮蔽电极施加比SE尖端低的电压。
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公开(公告)号:CN118525355A
公开(公告)日:2024-08-20
申请号:CN202280018658.8
申请日:2022-12-19
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/302
Abstract: 提供防止蚀刻时的氧化硅膜部分的形状的劣化且相对于氧化硅膜以高的选择比高精度蚀刻氮化硅膜的方法。蚀刻方法对预先形成在配置于处理室内的晶片上的、氮化硅膜被氧化硅膜上下夹着而层叠的膜层的端部构成槽或孔的侧壁的膜构造在对所述处理室内供给处理用的气体且不使用等离子的状态下进行干式蚀刻,在蚀刻方法中,作为第1工序,在30℃以上且55℃以下使氟化氢气体反应来在氮化硅膜上形成反应层,之后,作为第2工序,在70℃以上且110℃以下,在不流过氟化氢气体的状态下进行加热,使第1工序中形成的所述反应层挥发来进行除去,通过重复多次进行该所述第1以及第2工序,来对所述氮化硅膜从所述端部在横向上进行蚀刻。
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公开(公告)号:CN112673449B
公开(公告)日:2024-08-23
申请号:CN201880097383.5
申请日:2018-09-25
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/06
Abstract: 本发明使从热场发射电子源发射的电子束的量稳定化。因此,对热场发射电子源设置减少因加热第一电极而释放的气体量的构造,该热场发射电子源具有针状的电子源(301)、固定电子源并加热电子源的金属线(302)、固定于绝缘子并对金属线进行通电的心柱(303)、具有第一开口部304a并且电子源的前端从第一开口部突出地配置的第一电极(304)、具有第二开口部(306a)的第二电极(306)、以及以第一开口部的中心轴与第二开口部的中心轴一致的方式对第一电极和第二电极进行定位,获得第一电极与第二电极的电绝缘的绝缘体(307)。
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公开(公告)号:CN113646864B
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN201980094952.5
申请日:2019-04-18
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/06 , H01J37/073
Abstract: 使得从带电粒子线装置的电子枪稳定地放出大电流的电子线。具备电子枪,其具有:SE尖端(202)、配置在比SE尖端的前端更靠后方的抑制器(303);和由底面和筒部构成的杯子形状的引出电极(204),在引出电极中内含SE尖端和抑制器,在抑制器与引出电极之间具有保持它们的绝缘子(208),在抑制器与引出电极的圆筒部之间设置具有圆筒部(302)的导电性金属的遮蔽电极(301),对该遮蔽电极施加比SE尖端低的电压。
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