热场发射电子源以及电子束应用装置

    公开(公告)号:CN112673449A

    公开(公告)日:2021-04-16

    申请号:CN201880097383.5

    申请日:2018-09-25

    Abstract: 本发明使从热场发射电子源发射的电子束的量稳定化。因此,对热场发射电子源设置减少因加热第一电极而释放的气体量的构造,该热场发射电子源具有针状的电子源(301)、固定电子源并加热电子源的金属线(302)、固定于绝缘子并对金属线进行通电的心柱(303)、具有第一开口部304a并且电子源的前端从第一开口部突出地配置的第一电极(304)、具有第二开口部(306a)的第二电极(306)、以及以第一开口部的中心轴与第二开口部的中心轴一致的方式对第一电极和第二电极进行定位,获得第一电极与第二电极的电绝缘的绝缘体(307)。

    蚀刻方法
    4.
    发明公开
    蚀刻方法 审中-实审

    公开(公告)号:CN118525355A

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202280018658.8

    申请日:2022-12-19

    Abstract: 提供防止蚀刻时的氧化硅膜部分的形状的劣化且相对于氧化硅膜以高的选择比高精度蚀刻氮化硅膜的方法。蚀刻方法对预先形成在配置于处理室内的晶片上的、氮化硅膜被氧化硅膜上下夹着而层叠的膜层的端部构成槽或孔的侧壁的膜构造在对所述处理室内供给处理用的气体且不使用等离子的状态下进行干式蚀刻,在蚀刻方法中,作为第1工序,在30℃以上且55℃以下使氟化氢气体反应来在氮化硅膜上形成反应层,之后,作为第2工序,在70℃以上且110℃以下,在不流过氟化氢气体的状态下进行加热,使第1工序中形成的所述反应层挥发来进行除去,通过重复多次进行该所述第1以及第2工序,来对所述氮化硅膜从所述端部在横向上进行蚀刻。

    热场发射电子源以及电子束应用装置

    公开(公告)号:CN112673449B

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN201880097383.5

    申请日:2018-09-25

    Abstract: 本发明使从热场发射电子源发射的电子束的量稳定化。因此,对热场发射电子源设置减少因加热第一电极而释放的气体量的构造,该热场发射电子源具有针状的电子源(301)、固定电子源并加热电子源的金属线(302)、固定于绝缘子并对金属线进行通电的心柱(303)、具有第一开口部304a并且电子源的前端从第一开口部突出地配置的第一电极(304)、具有第二开口部(306a)的第二电极(306)、以及以第一开口部的中心轴与第二开口部的中心轴一致的方式对第一电极和第二电极进行定位,获得第一电极与第二电极的电绝缘的绝缘体(307)。

Patent Agency Ranking