公开(公告)号：CN1893109B

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200610007380.7

申请日：2006-02-13

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 村上进 ,  吉野胜信 ,  菅野实 ,  谷内滋 ,  小林五月 ,  寺岛健二

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L29/861

摘要： 本发明的目的是减小在半导体基板侧面露出pn结的半导体装置的泄漏电流，提高耐压。本发明的半导体装置，装备具有结晶面是(111)面的两个主表面和多个侧面的半导体基板，侧面具有与面方位(1，-2，1)面等价的6面，具有从一方的主表面高杂质浓度的第二导电型的第二半导体区域向低杂质浓度的第一导电型的第一半导体区域内部延伸形成的、从另一方的主表面高杂质浓度的第一导电型的第三半导体区域向所述第一半导体区域内部延伸形成的、在一方的主表面上欧姆连接的第一电极、和在另一方的主表面上欧姆连接的第二电极，第二半导体区域和第一半导体区域的结合部在所述侧面上露出。

公开(公告)号：CN1893109A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610007380.7

申请日：2006-02-13

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 村上进 ,  吉野胜信 ,  菅野实 ,  谷内滋 ,  小林五月 ,  寺岛健二

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L29/861

摘要： 本发明的目的是减小在半导体基板侧面露出pn结的半导体装置的泄漏电流，提高耐压。本发明的半导体装置，装备具有结晶面是(111)面的两个主表面和多个侧面的半导体基板，侧面具有与面方位(1，－2，1)面等价的6面，具有从一方的主表面高杂质浓度的第二导电型的第二半导体区域向低杂质浓度的第一导电型的第一半导体区域内部延伸形成的、从另一方的主表面高杂质浓度的第一导电型的第三半导体区域向所述第一半导体区域内部延伸形成的、在一方的主表面上欧姆连接的第一电极、和在另一方的主表面上欧姆连接的第二电极，第二半导体区域和第一半导体区域的结合部在所述侧面上露出。