公开(公告)号：CN1286805A

公开(公告)日：2001-03-07

申请号：CN98813915.4

申请日：1998-03-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 大野俊之 ,  岩崎贵之 ,  八尾勉

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/80

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本半导体开关器件包括具有第一导电类型的六角形对称碳化硅单晶和具有与第一导电类型相反的第二导电类型并位于碳化硅单晶内的半导体区域。在第一导电类型的碳化硅单晶和第二导电类型的半导体区域之间形成pn结。pn结果面包括从碳化硅单晶表面开始沿着深度方向延伸的界面,而延伸的界面包括与碳化硅单晶(1120)取向平行或大致与之平行的晶面。因此减小漏电流。

公开(公告)号：CN1292932A

公开(公告)日：2001-04-25

申请号：CN98814032.2

申请日：1998-09-09

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 岩崎贵之 ,  八尾勉 ,  小野濑秀胜 ,  大野俊之

IPC: H01L29/80 ,  H02M1/08

CPC classification number: H02M7/003 ,  H01L29/7722

Abstract: 根据本发明的静电感应晶体管包括能带间隙大于硅的半导体衬底,半导体衬底具有连接栅电极的第一栅极区,和设置在将变为漏极区的第一半导体区内的第二栅极区,第一栅极区接触变为源极区的第二半导体区。根据本发明,可以提高静电感应晶体管的关断特性。

公开(公告)号：CN85101390A

公开(公告)日：1987-01-10

申请号：CN85101390

申请日：1985-04-01

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 八尾勉 ,  长野隆洋 ,  及川三郎 ,  佐藤行正 ,  木村新 ,  福井宏

IPC: H01L29/74

Abstract: 电流控制半导体器件中，半导体基片一个主表面的基区有许多发射极条状区，第一电流电极与条状区欧姆接触，第二电流电极与基片另一主表面欧姆接触，第一控制电极与条状区一端基区欧姆接触连到控制端，第二控制电极与条状区另一端基区欧姆接触，仅通过基区电阻电连接第一控制电极。基片上有加速偏压装置，切断电流时，把低于条状区电导区加速偏置到另一端，加速偏压可为条状区末端电流旁路区，补偿第一和第二电流电极的结构等等。

公开(公告)号：CN1224543A

公开(公告)日：1999-07-28

申请号：CN96180362.2

申请日：1996-07-03

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 木村新 ,  八尾勉 ,  岩崎贵之

IPC: H02M7/48 ,  H02M7/5387 ,  H02M1/00

CPC classification number: H02M1/34 ,  H02M7/519 ,  H02M2001/344 ,  H02M2001/346 ,  H03K17/08144 ,  Y02B70/1483 ,  Y02B70/1491

Abstract: 一种功率转换设备,包括一组至少包括一个半导体开关的半导体开关,以及与该组半导体开关电连接的直流接线端,其中与半导体开关或直流接线端连接一个箝位电路。另外,把一个具有宽带隙的二极管与一个缓冲电路的缓冲二极管或缓冲电容器并联连接,该缓冲电路与半导体开关并联连接。应用这样的布置,使施加在半导体开关上的过电压或振荡电压得到抑制。

公开(公告)号：CN85101390B

公开(公告)日：1988-02-17

申请号：CN85101390

申请日：1985-04-01

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 八尾勉 ,  长野隆洋 ,  及川三郎 ,  佐藤行正 ,  木村新 ,  福井宏

IPC: H01L29/74

Abstract: 电流控制半导体器件中，半导体基片一个主表面的基区有许多发射极条状区，第一电流电极与条状区欧姆接触，第二电流电极与基片另一主表面欧姆接触，第一控制电极与条状区一端基区欧姆接触连到控制端，第二控制电极与条状区另一端基区欧姆接触，仅通过基区电阻电连接第一控制电极，基片上有加速偏压装置，切断电流时，把低于条状区电导区加速偏置到另一端。加速偏压可为条状区末端电流旁路区，补偿第一和第二电流电极的结构等等。