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    操作旋钮装置
    1.
    发明公开
    操作旋钮装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN113467627A

    公开(公告)日：2021-10-01

    申请号：CN202110304610.0

    申请日：2021-03-22

    Applicant: 株式会社日本显示器 ,  株式会社有信

    Inventor： 西本拓也 ,  坪仓伸夫 ,  武田薰 ,  伊藤健二

    IPC: G06F3/0362 ,  G06F3/044

    Abstract: 操作旋钮装置(10)具备：保持件(20)，其与显示面板(1)相邻地配置；旋转件(25)，其以被允许绕轴线(A)旋转的方式配置于保持部(20a)；旋钮(30)，其以相对于旋转件(25)被允许在沿轴线(A)的方向上相对移动且被限制在以轴线(A)为中心的周向上相对移动的方式配置；以及传递构件(35)，其配置于旋转件(25)的第一端(25a)侧，具有导电性。传递构件(35)具有：第一传递构件(36)，其与旋钮(30)连动地沿轴线(A)移动；第二传递构件(38)，其以与旋转件(25)一体地旋转的方式安装于第一端(25a)；以及连接构件(41)，其将第一传递构件(36)与第二传递构件(38)连接为能够导通。由此，提高按压操作和旋转操作的传递性。

    操作旋钮装置
    2.
    发明公开
    操作旋钮装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN113467628A

    公开(公告)日：2021-10-01

    申请号：CN202110304980.4

    申请日：2021-03-22

    Applicant: 株式会社日本显示器 ,  株式会社有信

    Inventor： 西本拓也 ,  坪仓伸夫 ,  武田薰 ,  伊藤健二

    IPC: G06F3/0362 ,  G06F3/041 ,  G06F3/044

    Abstract: 操作旋钮装置(10)具备：环状的保持件(20)，具有圆环状的保持部(20a)；环状的旋转件(25)，以被允许绕轴线(A)旋转的方式配置于保持部；环状的旋钮(30)，被允许相对于旋转件在沿着轴线的方向上相对移动且被限制在以轴线为中心的周向上相对移动；第一传递构件(36)，以与旋钮连动地移动的方式配置于旋转件的第一端(25a)；以及第二传递构件(38)，以与旋转件一体地旋转的方式安装于第一端。旋钮具有筒状的内壁部和外壁部，由内壁部划分出能够视觉辨认显示面板(1)的一部分的开口部(31)。第一传递构件及第二传递构件配置于内壁部与外壁部之间。由此，能够将按压操作和旋转操作这双方传递至显示面板，能够确保显示面板的显示区域。

    检测装置
    3.
    发明公开
    检测装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN118016656A

    公开(公告)日：2024-05-10

    申请号：CN202311461688.9

    申请日：2023-11-06

    Applicant: 株式会社日本显示器

    Inventor： 杉山裕纪 ,  庄司孝裕 ,  大植善英 ,  武田薰

    IPC: H01L25/16 ,  H01L23/538

    Abstract: 本发明提供一种能够抑制上下电极之间发生短路、并且抑制检测灵敏度降低的检测装置。检测装置具有：基板；在基板之上按照下部电极、半导体层及上部电极的顺序层叠而成的光电二极管；设于光电二极管的晶体管；和设在基板与光电二极管的层间的绝缘层及覆盖绝缘层的平坦化层，绝缘层具有在与基板垂直的方向上朝向光电二极管突出的凸部，平坦化层具有设在比光电二极管靠下部、且与绝缘层的凸部重叠的位置的接触孔，光电二极管设在平坦化层之上并且覆盖接触孔而设置，光电二极管的下部电极在接触孔的底部与晶体管电连接。

    TFT基板及TFT基板的制造方法
    4.
    发明公开
    TFT基板及TFT基板的制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN116259632A

    公开(公告)日：2023-06-13

    申请号：CN202211533358.1

    申请日：2022-11-30

    Applicant: 株式会社日本显示器

    Inventor： 杉山裕纪 ,  稻村弘 ,  武田薰 ,  大植善英

    IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

    Abstract: 本发明涉及TFT基板和TFT基板的制造方法。本发明提供能抑制使用了氧化物半导体的薄膜晶体管的特性偏差的TFT基板及TFT基板的制造方法。TFT基板具有：基板；设于基板之上、并包含氧化物半导体层的多个晶体管；与多个晶体管的栅极电连接、并在第1方向上延伸的多条扫描线；与多个晶体管的氧化物半导体层电连接、并在与第1方向交叉的第2方向上延伸的多条信号线；绝缘膜，其覆盖多条信号线及氧化物半导体层；和连接布线，其设于绝缘膜之上，至少1条信号线隔着狭缝而在第2方向上分离，连接布线将隔着狭缝而在第2方向上相邻的一个信号线与另一信号线电连接。

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