公开(公告)号：CN113348149A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202080010371.1

申请日：2020-01-21

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 崎田学

IPC: C01B33/02 ,  C01B33/035 ,  B65D81/18

Abstract: 本发明的目的在于，对于填充于树脂袋中的多晶硅块状物的包装体，即使长期保存、在输送中暴露于高温高湿环境，也会抑制多晶硅块状物产生污渍。本发明的多晶硅块状物包装体的特征在于，其是表面金属浓度为1000pptw以下的多晶硅块状物填充于树脂袋中的包装体，存在于该包装体内部的硝酸根离子量及优选的氟离子量分别为相对于将包装体放置在25℃、1大气压下时所形成的多晶硅块状物的填充空隙成为50μg/L以下的量。

公开(公告)号：CN113348149B

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202080010371.1

申请日：2020-01-21

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 崎田学

IPC: C01B33/02 ,  C01B33/035 ,  B65D81/18

Abstract: 本发明的目的在于，对于填充于树脂袋中的多晶硅块状物的包装体，即使长期保存、在输送中暴露于高温高湿环境，也会抑制多晶硅块状物产生污渍。本发明的多晶硅块状物包装体的特征在于，其是表面金属浓度为1000pptw以下的多晶硅块状物填充于树脂袋中的包装体，存在于该包装体内部的硝酸根离子量及优选的氟离子量分别为相对于将包装体放置在25℃、1大气压下时所形成的多晶硅块状物的填充空隙成为50μg/L以下的量。

公开(公告)号：CN115989192B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202180052523.9

申请日：2021-08-26

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 崎田学 ,  小柳信一郎

IPC: C01B33/037

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种不仅表面的铜浓度低，铁和锌这两者表面浓度也低的多晶硅破碎块。本发明的多晶硅破碎块的特征在于，表面金属浓度为15.0pptw以下，该表面金属浓度中，铜浓度为0.30pptw以下，进一步，该表面金属浓度中，铁和锌的合计浓度为2.00pptw以下，优选的是，铁浓度为1.25pptw以下，锌浓度为0.75pptw以下。

公开(公告)号：CN115989192A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202180052523.9

申请日：2021-08-26

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 崎田学 ,  小柳信一郎

IPC: C01B33/037

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种不仅表面的铜浓度低，铁和锌这两者表面浓度也低的多晶硅破碎块。本发明的多晶硅破碎块的特征在于，表面金属浓度为15.0pptw以下，该表面金属浓度中，铜浓度为0.30pptw以下，进一步，该表面金属浓度中，铁和锌的合计浓度为2.00pptw以下，优选的是，铁浓度为1.25pptw以下，锌浓度为0.75pptw以下。

公开(公告)号：CN104520234A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201380041534.2

申请日：2013-08-05

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 间岛卓也 ,  若松智 ,  崎田学

IPC: C01B33/03

CPC classification number: H01L21/02653 ,  C01B33/03 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595

Abstract: 本发明提供多晶硅的制造方法，其包含：通过氯硅烷化合物和氢的反应而生成硅的硅析出工序、使由上述硅析出工序排出的排出气体与活性炭接触而去除该排出气体中的氯化氢的转化反应工序、分离由上述转化反应工序所得的转化反应后气体中的氢的分离工序、及将由上述分离工序所得的氢供给至上述硅析出工序的循环工序，其特征在于，满足下述条件(1)及(2)中至少一方：(1)将由转化反应工序所得的转化反应后气体在分离工序前与含有路易斯酸性化合物的吸附材料接触，及(2)将由分离工序所得的氢在供给至硅析出工序前与含有路易斯酸性化合物的吸附材料接触。