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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN104737279B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201380053966.5
申请日：2013-10-02
Applicant: 株式会社尼康
IPC: H01L21/368 , B05D3/12 , G02F1/13 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC classification number: G02F1/133305 , G02F1/1303
Abstract: 一种薄膜形成装置，在基板的表面形成薄膜，具有：供给部，其将含有薄膜材料的溶媒的液滴供给至基板的表面；形状变形部，其使基板的表面上的液滴的形状以从一个方向朝向另一个方向延伸的方式变形；除去部，其对从一个方向朝向另一个方向延伸了的液滴除去溶媒。
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公开(公告)号：CN103733319B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201280037825.X
申请日：2012-08-06
Applicant: 株式会社尼康
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0021 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L51/105
Abstract: 本发明的目的是提供一种有机半导体与电极之间的接触电阻降低且生产性良好的晶体管的制造方法。本发明是一种晶体管的制造方法，特征在于：形成载持无电解镀敷用触媒的基底膜；对基底膜载持无电解镀敷用触媒进行第1无电解镀敷；于通过第1无电解镀敷所形成的电极的表面进行第2无电解镀敷，形成源极、漏极电极；及，形成与源极、漏极电极相对的面接触的半导体层；且，第2无电解镀敷中使用的材料的功函数、与半导体层的材料中的用于电子移动的分子轨道的能量位准的能量位准差小于第1无电解镀敷中使用的材料的功函数、与上述分子轨道的能量位准的能量位准差。
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公开(公告)号：CN104737279A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380053966.5
申请日：2013-10-02
Applicant: 株式会社尼康
IPC: H01L21/368 , B05D3/12 , G02F1/13 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC classification number: G02F1/133305 , G02F1/1303
Abstract: 一种薄膜形成装置，在基板的表面形成薄膜，具有：供给部，其将含有薄膜材料的溶媒的液滴供给至基板的表面；形状变形部，其使基板的表面上的液滴的形状以从一个方向朝向另一个方向延伸的方式变形；除去部，其对从一个方向朝向另一个方向延伸了的液滴除去溶媒。
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公开(公告)号：CN103733319A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280037825.X
申请日：2012-08-06
Applicant: 株式会社尼康
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0021 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L51/105
Abstract: 本发明的目的是提供一种有机半导体与电极之间的接触电阻降低且生产性良好的晶体管的制造方法。本发明是一种晶体管的制造方法，特征在于：形成载持无电解镀敷用触媒的基底膜；对基底膜载持无电解镀敷用触媒进行第1无电解镀敷；于通过第1无电解镀敷所形成的电极的表面进行第2无电解镀敷，形成源极、漏极电极；及，形成与源极、漏极电极相对的面接触的半导体层；且，第2无电解镀敷中使用的材料的功函数、与半导体层的材料中的用于电子移动的分子轨道的能量位准的能量位准差小于第1无电解镀敷中使用的材料的功函数、与上述分子轨道的能量位准的能量位准差。
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