公开(公告)号：CN113812008A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202080023523.1

申请日：2020-07-02

Applicant: 株式会社大真空

Inventor： 村上达也 ,  辻原利治

IPC: H01L33/48 ,  C23C14/18 ,  C23C14/08

Abstract: 发光装置(10)在陶瓷封装体(11)的空室(111)中容纳有LED芯片(13)，空室(111)的开口被水晶盖(12)密封。密封前的盖构件(20)是通过将水晶盖(12)作为盖主体、并在水晶盖(12)的密封面上形成有作为基膜的第一金属化膜(41)而构成的。第一金属化膜(41)包括在水晶盖(12)上直接形成的第一金属层(411)、及在第一金属层(411)上形成的第二金属层(412)。第一金属层(411)具有由膜厚为20～700nm的钛膜构成的单层结构。第二金属层(412)具有从靠近第一金属层(411)的一侧起依次将镍－钛膜(4121)及金膜(4122)层叠的层叠结构。

公开(公告)号：CN113646908A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202080023443.6

申请日：2020-06-30

Applicant: 株式会社大真空

Inventor： 村上达也 ,  辻原利治

IPC: H01L33/48

Abstract: 发光装置(10)在陶瓷封装体(11)的空室(111)内容纳有LED芯片(13)，空室(111)的开口被水晶盖(12)密封。密封前的盖构件(20)被构成为，以水晶盖(12)为盖主体，并在水晶盖(12)的密封面上形成有第一金属化膜(41)。第一金属化膜(41)包括在水晶盖(12)上直接形成的第一金属层(411)、和在第一金属层(411)上形成的含钎焊材料(金－锡)的合金层(43)。第一金属层(411)具有由膜厚为20～700nm的钛膜构成的单层结构。