公开(公告)号：CN119998231A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202380070935.4

申请日：2023-10-03

Applicant: 同和热处理技术株式会社 ,  株式会社名城毫微碳 ,  株式会社大阪曹达

Inventor： 藤田贵弘 ,  桥本刚 ,  高野庆 ,  香川尚人

IPC: C01B32/16

Abstract: 一种碳纳米管回收装置，其回收碳纳米管，该碳纳米管回收装置具备回收碳纳米管的回收室，回收室具有壳体和设于壳体的下方的储存容器，壳体具有与碳纳米管生成装置相通的第1开口部、对第1开口部进行开闭的开闭机构、以及与储存容器相通的第2开口部，储存容器相对于该壳体拆装自如地安装。

公开(公告)号：CN116963996A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202280017848.8

申请日：2022-09-28

Applicant: 同和热处理技术株式会社 ,  株式会社名城毫微碳 ,  株式会社大阪曹达

Inventor： 长信也 ,  上冈真弥 ,  藤田贵弘 ,  桥本刚 ,  高野庆 ,  香川尚人

IPC: C01B32/16

Abstract: 一种碳纳米管回收装置，其中，该碳纳米管回收装置具有：回收室，其具有与碳纳米管生成装置相通的开口部；卷取构件，其配置在回收室内，该卷取构件卷取从碳纳米管生成装置通过开口部后的碳纳米管而形成碳纳米管卷绕体；以及分离机构，其使碳纳米管卷绕体从卷取构件的基端侧朝向顶端侧移动而使该碳纳米管卷绕体从卷取构件分离。

公开(公告)号：CN112533868B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN201980050383.4

申请日：2019-07-26

Applicant: 株式会社大阪曹達 ,  株式会社名城毫微碳

Inventor： 岩佐成人 ,  平山大悟 ,  小田实生 ,  三木康史 ,  香川尚人 ,  桥本刚 ,  高野庆

IPC: C01B32/162 ,  B01J21/12

Abstract: 提供能够以高效率制造高纯度的单层碳纳米管的方法。一种利用气相流动CVD法的碳纳米管的制造方法，其具有：将Al2O3和SiO2的合计质量占总质量的90％以上、且Al2O3/SiO2的质量比处于1.0～2.3的范围的物质(A)加热至1200℃以上的步骤；和使将前述物质(A)加热至1200℃以上的环境中存在的气体与碳纳米管的原料气体接触，从而生成碳纳米管的步骤。

公开(公告)号：CN112533868A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201980050383.4

申请日：2019-07-26

Applicant: 株式会社大阪曹達 ,  株式会社名城毫微碳

Inventor： 岩佐成人 ,  平山大悟 ,  小田实生 ,  三木康史 ,  香川尚人 ,  桥本刚 ,  高野庆

IPC: C01B32/162 ,  B01J21/12

Abstract: 提供能够以高效率制造高纯度的单层碳纳米管的方法。一种利用气相流动CVD法的碳纳米管的制造方法，其具有：将Al2O3和SiO2的合计质量占总质量的90％以上、且Al2O3/SiO2的质量比处于1.0～2.3的范围的物质(A)加热至1200℃以上的步骤；和使将前述物质(A)加热至1200℃以上的环境中存在的气体与碳纳米管的原料气体接触，从而生成碳纳米管的步骤。

公开(公告)号：CN119325451A

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202380029046.3

申请日：2023-03-29

Applicant: 株式会社大阪曹达 ,  株式会社名城毫微碳

Inventor： 平山大悟 ,  中川晓史 ,  谷山直司 ,  桥本刚 ,  高野庆

IPC: C01B32/162 ,  B01J31/22

Abstract: 本发明提供一种无需担心反应管的强度降低且能够高效率地制造高纯度的单层碳纳米管的新方法。一种碳纳米管的制造方法，是利用浮动催化剂化学气相沉积法(FC‑CVD法)的碳纳米管的制造方法，包括：在含铁催化剂和碱金属化合物的存在下，对碳纳米管的原料进行加热而生成碳纳米管的工序。

公开(公告)号：CN108349728B

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN201680058037.7

申请日：2016-09-30

Applicant: 株式会社名城毫微碳

Inventor： 桥本刚 ,  高野庆

IPC: C01B32/159 ,  C01B32/164 ,  B01J19/24

Abstract: 通过本发明提供的CNT制造装置(1)包括筒体的腔室(10)和设置于排气管(50)的控制阀(60)。腔室(10)包括：设置于该腔室(10)的筒轴方向的一部分范围的反应区(20)；设置于比反应区(20)靠下游的位置的沉积区(22)；检测表示沉积区(22)中的碳纳米管的沉积状态的物性值的沉积状态检测部(40)。CNT制造装置(1)构成为如下：在由沉积状态检测部(40)检测的物性值为规定的阈值以下时，关闭控制阀(60)而使碳纳米管沉积在沉积区(22)；在该物性值超过规定的阈值时，打开控制阀(60)而回收沉积在沉积区(22)的碳纳米管。

公开(公告)号：CN108349728A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680058037.7

申请日：2016-09-30

Applicant: 株式会社名城毫微碳

Inventor： 桥本刚 ,  高野庆

IPC: B82Y40/00

CPC classification number: B82Y40/00

Abstract: 通过本发明提供的CNT制造装置(1)包括筒体的腔室(10)和设置于排气管(50)的控制阀(60)。腔室(10)包括：设置于该腔室(10)的筒轴方向的一部分范围的反应区(20)；设置于比反应区(20)靠下游的位置的沉积区(22)；检测表示沉积区(22)中的碳纳米管的沉积状态的物性值的沉积状态检测部(40)。CNT制造装置(1)构成为如下：在由沉积状态检测部(40)检测的物性值为规定的阈值以下时，关闭控制阀(60)而使碳纳米管沉积在沉积区(22)；在该物性值超过规定的阈值时，打开控制阀(60)而回收沉积在沉积区(22)的碳纳米管。