公开(公告)号：CN1322543C

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN01142745.0

申请日：2001-12-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上智史 ,  本洋介 ,  热海知昭 ,  坂仓真之

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L29/04 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136204 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124

Abstract: 半导体器件制造中，用干腐蚀法在层间绝缘膜中形成接触孔时产生静电。为了防止因所产生的静电移动损坏象素区或驱动电路区。在结晶半导体膜上的栅信号线相互隔开。在层间绝缘膜中开接触孔时不电连接第1保护电路。开接触孔进行的干腐蚀过程中产生的静电到达栅信号线之前，静电沿栅信号线移动，损坏栅绝缘膜，穿过结晶半导体膜，再损坏栅绝缘膜。随着干腐蚀中产生的静电损坏第1保护电路，静电能量减小，直到失去损坏驱动电路TFT的能力为止，由此防止静电放电损坏驱动电路TFT。