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公开(公告)号：CN115917790A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180040450.1
申请日：2021-06-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/525
Abstract: 本发明的一个方式提供一种充放电容量大的正极活性物质。或者，提供一种充放电电压高的正极活性物质。或者，提供一种劣化少的正极活性物质。为了提高正极活性物质的可靠性，采用防止正极活性物质表面与电解液发生反应而被还原的结构。通过在正极活性物质表面的一部分设置凸部，减少正极活性物质表面与电解液发生反应而被还原，从而提高循环特性。
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