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公开(公告)号：CN106279196A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610472256.1
申请日：2016-06-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D493/04 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
CPC classification number: H01L51/0073 , C07D493/04 , C09K11/025 , H01L51/0059 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H01L2251/5384 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1044 , C09K2211/1088 , C09K2211/1092 , H01L51/50 , H01L51/5012
Abstract: 提供一种新颖杂环化合物。尤其是，提供一种可以提高发光元件的元件特性的新颖杂环化合物。一种以下述通式(G1)表示的杂环化合物，其中取代或未取代的二苯并[f，h]喹喔啉基与取代或未取代的苯并双苯并呋喃基通过取代或未取代的亚芳基键合。在通式中，DBq表示取代或未取代的二苯并[f，h]喹喔啉基，Ar1表示取代或未取代的碳原子数为6至13的亚芳基，n表示0或1，Ar2表示取代或未取代的碳原子数为6至13的亚芳基，A表示取代或未取代的苯并双苯并呋喃基。当以Ar1及Ar2表示的亚芳基具有取代基时，取代基也可以互相键合而形成环。
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公开(公告)号：CN108137565B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201680061311.6
申请日：2016-10-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D409/10 , C07D403/10 , C09K11/06 , H01L51/50
Abstract: 本发明提供一种新颖杂环化合物。尤其是，本发明提供一种可以提高发光元件的元件特性的新颖杂环化合物。本发明提供一种发光效率及耐热性高的发光元件。本发明是一种以通式(G1)表示杂环化合物。A表示二苯并噻吩基、二苯并呋喃基和咔唑基中的任一个。DBq表示二苯并[f,h]喹喔啉基。另外，n为0或1。Ar1至Ar4分别独立地表示碳原子数为6至10的取代或未取代的亚芳基。Ar1至Ar4中的相邻的亚芳基也可以互相键合而形成环。在Ar1至Ar4中的相邻的亚芳基形成芴骨架的情况下，上述芴骨架也可以具有取代基。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106279196B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201610472256.1
申请日：2016-06-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D493/04 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 提供一种新颖杂环化合物。尤其是，提供一种可以提高发光元件的元件特性的新颖杂环化合物。一种以下述通式(G1)表示的杂环化合物，其中取代或未取代的二苯并[f，h]喹喔啉基与取代或未取代的苯并双苯并呋喃基通过取代或未取代的亚芳基键合。在通式中，DBq表示取代或未取代的二苯并[f，h]喹喔啉基，Ar1表示取代或未取代的碳原子数为6至13的亚芳基，n表示0或1，Ar2表示取代或未取代的碳原子数为6至13的亚芳基，A表示取代或未取代的苯并双苯并呋喃基。当以Ar1及Ar2表示的亚芳基具有取代基时，取代基也可以互相键合而形成环。
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公开(公告)号：CN108137565A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680061311.6
申请日：2016-10-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D409/10 , C07D403/10 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D403/10 , C07D409/10 , C09K11/025 , H01L27/3244 , H01L27/3255 , H01L51/0074 , H01L51/5012 , H01L51/5056 , H01L51/5072
Abstract: 本发明提供一种新颖杂环化合物。尤其是，本发明提供一种可以提高发光元件的元件特性的新颖杂环化合物。本发明提供一种发光效率及耐热性高的发光元件。本发明是一种以通式(G1)表示杂环化合物。A表示二苯并噻吩基、二苯并呋喃基和咔唑基中的任一个。DBq表示二苯并[f,h]喹喔啉基。另外，n为0或1。Ar1至Ar4分别独立地表示碳原子数为6至10的取代或未取代的亚芳基。Ar1至Ar4中的相邻的亚芳基也可以互相键合而形成环。在Ar1至Ar4中的相邻的亚芳基形成芴骨架的情况下，上述芴骨架也可以具有取代基。
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公开(公告)号：CN114436940B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202210143447.9
申请日：2016-10-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , C07F5/02 , C07D241/36 , C07D403/10
Abstract: 本发明提供一种新颖化合物及合成方法。尤其是，本发明提供一种可以提高发光元件的元件特性的新颖化合物及合成方法。本发明是一种以下式表示的化合物：#imgabs0#
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公开(公告)号：CN114436940A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210143447.9
申请日：2016-10-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , C07F5/02 , C07D241/36 , C07D403/10
Abstract: 本发明提供一种新颖化合物及合成方法。尤其是，本发明提供一种可以提高发光元件的元件特性的新颖化合物及合成方法。本发明是一种以下式表示的化合物：
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公开(公告)号：CN113394349A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110625999.9
申请日：2016-06-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50 , H01L51/54 , C07D493/04 , C09K11/06
Abstract: 提供一种新颖杂环化合物。尤其是，提供一种可以提高发光元件的元件特性的新颖杂环化合物。一种以下述通式(G1)表示的杂环化合物，其中取代或未取代的二苯并[f，h]喹喔啉基与取代或未取代的苯并双苯并呋喃基通过取代或未取代的亚芳基键合。在通式中，DBq表示取代或未取代的二苯并[f，h]喹喔啉基，Ar1表示取代或未取代的碳原子数为6至13的亚芳基，n表示0或1，Ar2表示取代或未取代的碳原子数为6至13的亚芳基，A表示取代或未取代的苯并双苯并呋喃基。当以Ar1及Ar2表示的亚芳基具有取代基时，取代基也可以互相键合而形成环。
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