公开(公告)号：CN114695776A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202111636347.1

申请日：2021-12-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 濑尾広美 ,  渡部刚吉 ,  植田蓝莉 ,  河野优太 ,  大泽信晴 ,  木户裕允 ,  濑尾哲史

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明涉及有机半导体器件、有机EL器件、光电二极管传感器、显示装置、发光装置、电子设备及照明装置。提供一种驱动电压较低的有机半导体器件。提供一种有机半导体器件，包括：在一对电极间包含有机化合物的层，其中，包含上述有机化合物的层具有空穴传输区域，上述空穴传输区域包括第一层及第二层，上述第一层位于阳极与上述第二层间，并且，在将蒸镀膜的表面电势的电位梯度设为GSP(mV/nm)时，从上述第一层中的有机化合物的GSP减去上述第二层中的有机化合物的GSP的值为20(mV/nm)以下。