-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111886645A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201980021028.4
申请日：2019-03-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种可以对显示元件施加高电压的显示装置。显示元件包括设置有具有像素电极及公共电极的显示元件并与第一数据线及第二数据线电连接的像素。在同时通过第一数据线对像素供应第一电位并通过第二数据线对像素供应第二电位之后，通过第二数据线对像素供应第三电位，来将保持在像素中的第一电位变为第四电位，将第四电位施加到像素电极。在此，第二电位是根据第一电位算出的电位。在第二电位的值是施加到公共电极的电位以下时，第三电位高于施加到公共电极的电位。另一方面，在第二电位的值是施加到公共电极的电位以上时，第三电位低于施加到公共电极的电位。
-
公开(公告)号：CN111418000A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201880077464.9
申请日：2018-11-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G5/00 , G02F1/133 , G09G3/20 , G09G3/3225
Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。该显示装置包括将第一像素排列为矩阵状的第一像素部及将第二像素排列为矩阵状的第二像素部。首先，形成具有校正显示在第一像素部的图像的功能的第一校正滤波器及具有校正显示在第二像素部的图像的功能的第二校正滤波器。接着，对第一校正滤波器的滤波值、第二校正滤波器的滤波值进行比较。然后，根据比较结果对第一校正滤波器的滤波值进行修正。
-
公开(公告)号：CN115885389A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202180052440.X
申请日：2021-08-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 提供一种功能性高的半导体装置。该半导体装置包括第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管包括第一半导体层、第一栅电极、第一电极及第二电极。第二晶体管包括第二半导体层、第二栅电极、第三电极及第四电极。第一栅电极与第二栅电极连接，第二电极与第三电极连接。第一半导体层上层叠有第一绝缘层、第二绝缘层和第二半导体层。第一绝缘层与第二绝缘层相比不容易扩散氢。第二绝缘层包含氧化物，第一半导体层包含多晶硅，第二半导体层包含金属氧化物。第一晶体管是p型晶体管，第二晶体管是n型晶体管。
-
公开(公告)号：CN111418000B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201880077464.9
申请日：2018-11-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G5/00 , G02F1/133 , G09G3/20 , G09G3/3225
Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。该显示装置包括将第一像素排列为矩阵状的第一像素部及将第二像素排列为矩阵状的第二像素部。首先，形成具有校正显示在第一像素部的图像的功能的第一校正滤波器及具有校正显示在第二像素部的图像的功能的第二校正滤波器。接着，对第一校正滤波器的滤波值、第二校正滤波器的滤波值进行比较。然后，根据比较结果对第一校正滤波器的滤波值进行修正。
-
公开(公告)号：CN111886645B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN201980021028.4
申请日：2019-03-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种可以对显示元件施加高电压的显示装置。显示元件包括设置有具有像素电极及公共电极的显示元件并与第一数据线及第二数据线电连接的像素。在同时通过第一数据线对像素供应第一电位并通过第二数据线对像素供应第二电位之后，通过第二数据线对像素供应第三电位，来将保持在像素中的第一电位变为第四电位，将第四电位施加到像素电极。在此，第二电位是根据第一电位算出的电位。在第二电位的值是施加到公共电极的电位以下时，第三电位高于施加到公共电极的电位。另一方面，在第二电位的值是施加到公共电极的电位以上时，第三电位低于施加到公共电极的电位。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.02 seconds)
