公开(公告)号：CN117956789A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311344804.9

申请日：2023-10-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 松嵜隆徳 ,  井上广树 ,  冈本佑树

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供一种能够高集成化的存储装置。一种存储单元包括第一晶体管及第二晶体管的存储装置，作为两个晶体管使用设置在绝缘层中的开口部的侧面具有沟道形成区域的占有面积小的纵向晶体管。存储单元包括具有第一晶体管的栅电极的功能及第二晶体管的源电极和漏电极中的一个功能的导电体。存储单元被交错配置，因此可以实现集成度高的存储装置。

公开(公告)号：CN117896981A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202311323240.0

申请日：2023-10-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 松嵜隆徳 ,  斋藤利彦 ,  山崎舜平

IPC: H10B12/00 ,  H10N97/00

Abstract: 提供一种能够微型化或高集成化的半导体装置。半导体装置包括晶体管、电容元件及第一绝缘层。第一绝缘层设置于第一导电层及第二导电层上并包括到达第一导电层的第一开口及到达第二导电层的第二开口。晶体管为沿着第一开口的侧壁设置沟道形成区域的垂直晶体管。电容元件为沿着第二开口的侧面设置一对电极及介电质的垂直电容器。