公开(公告)号：CN1051878C

公开(公告)日：2000-04-26

申请号：CN93116561.X

申请日：1993-07-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上茜 ,  宫崎稔 ,  崔葆春

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01B5/14

CPC classification number: H01L21/285 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66757 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

Abstract: 根据一种透明导电薄膜的制造方法，用溅射法，在室温下形成ITO(铟锡氧化物)薄膜之后，在氢气氛中，在适当温度下，比如在高于200℃的温度下，对薄膜进行退火处理。

公开(公告)号：CN1089756A

公开(公告)日：1994-07-20

申请号：CN93116561.X

申请日：1993-07-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上茜 ,  宫崎稔 ,  崔葆春

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01B5/14

CPC classification number: H01L21/285 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66757 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

Abstract: 根据一种透明导电薄膜的制造方法，用溅射法，在室温下形成ITO(铟锡氧化物)薄膜之后，在氢气氛中，在适当温度下，比如在高于200℃的温度下，对薄膜进行退火处理。