公开(公告)号：CN118302896A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202280077189.7

申请日：2022-11-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  石谷哲二 ,  宫入典子 ,  比护大地 ,  荻田香 ,  平原誉士

IPC: H01M10/0568 ,  H01M10/0569

Abstract: 提供一种可使用温度范围宽、粘性低、低温下的锂离子传导性高或具有高耐热性的非水溶剂。包含离子液体及低温用有机电解质的非水溶剂在低温下粘度也低、载流子离子传导性高。作为低温用有机电解质，可以使用碳酸甲乙酯占30体积％以上且65体积％以下的电解质。将该非水溶剂用于电解质的电池的可使用温度范围宽，是优选的。

公开(公告)号：CN117642886A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202280049539.9

申请日：2022-07-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 吉谷友辅 ,  比护大地 ,  平原誉士 ,  宫入典子

IPC: H01M4/525 ,  H01M4/505 ,  H01G11/30 ,  H01G11/06 ,  C01G53/00

Abstract: 提供一种充放电容量大的正极活性物质。此外，提供一种新颖的正极活性物质。在利用共沉淀法得到包含镍、钴、锰及铝的化合物(也称为前体)之后，以第一加热温度对混合锂化合物和包含镍、钴、锰及铝的化合物而得的混合物进行加热，粉碎或研碎混合物后，以第二加热温度进行加热，在混合添加物之后进行第三加热处理，由此制造正极活性物质。

公开(公告)号：CN106463080B

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201580031427.0

申请日：2015-05-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 轴丸美佳 ,  久保田大介 ,  宫入典子 ,  永田贵章

IPC: G09F9/30 ,  G02B5/20 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G06F3/041 ,  G06F3/044 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22

Abstract: 提供一种降低外光的反射的显示装置或输入/输出装置。该显示装置包括第一衬底(101)及第二衬底(102)。第一衬底(101)包括第一表面。晶体管(109)位于第一表面上。第二衬底(102)包括第二表面。具有凸部的第一结构体(180)、具有凸部的第二结构体(180)、覆盖第一结构体(180)及第二结构体(180)的黑矩阵(186)以及滤色片(181、182、183)位于第二表面上。第一表面面对第二表面。黑矩阵(186)具有反映第一结构体(180)的凸部及第二结构体的凸部的多个凸部。第一结构体(180)的平面形状与第二结构体(180)的平面形状互不相同。

公开(公告)号：CN116848668A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280014457.0

申请日：2022-02-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 吉谷友辅 ,  平原誉士 ,  宫入典子 ,  早川昌彦 ,  门马洋平

IPC: H01M4/525

Abstract: 提供一种充放电容量大的正极活性物质。另外，提供一种新颖的正极活性物质。在利用共沉淀法得到包含镍、钴及锰的钴化合物(还被称为前体)之后，以第一温度对混合锂化合物和钴化合物而得的混合物进行加热，在粉碎或研碎的混合物之后，以比第一温度高的第二温度再进行加热，在混合添加物之后进行第三加热处理，由此制造正极活性物质。第一温度的范围为400℃以上且700℃以下的范围。第二温度的范围为高于700℃且为1050℃以下的范围。

公开(公告)号：CN110310962A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910618314.0

申请日：2015-05-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 轴丸美佳 ,  久保田大介 ,  宫入典子 ,  永田贵章

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  H05K1/02 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1333

Abstract: 提供一种降低外光的反射的显示装置或输入/输出装置。该显示装置包括第一衬底(101)及第二衬底(102)。第一衬底(101)包括第一表面。晶体管(109)位于第一表面上。第二衬底(102)包括第二表面。具有凸部的第一结构体(180)、具有凸部的第二结构体(180)、覆盖第一结构体(180)及第二结构体(180)的黑矩阵(186)以及滤色片(181、182、183)位于第二表面上。第一表面面对第二表面。黑矩阵(186)具有反映第一结构体(180)的凸部及第二结构体的凸部的多个凸部。第一结构体(180)的平面形状与第二结构体(180)的平面形状互不相同。

公开(公告)号：CN106463080A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580031427.0

申请日：2015-05-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 轴丸美佳 ,  久保田大介 ,  宫入典子 ,  永田贵章

IPC: G09F9/30 ,  G02B5/20 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G06F3/041 ,  G06F3/044 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22

Abstract: 提供一种降低外光的反射的显示装置或输入/输出装置。该显示装置包括第一衬底(101)及第二衬底(102)。第一衬底(101)包括第一表面。晶体管(109)位于第一表面上。第二衬底(102)包括第二表面。具有凸部的第一结构体(180)、具有凸部的第二结构体(180)、覆盖第一结构体(180)及第二结构体(180)的黑矩阵(186)以及滤色片(181、182、183)位于第二表面上。第一表面面对第二表面。黑矩阵(186)具有反映第一结构体第一结构体(180)的平面形状与第二结构体(180)的平面形状互不相同。(180)的凸部及第二结构体的凸部的多个凸部。