公开(公告)号：CN1890255B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200480035633.0

申请日：2004-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 井上英子 ,  瀬尾哲史 ,  下垣智子 ,  安部寛子

IPC: C07F15/00 ,  C09K11/06 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L51/0085 ,  C07F15/0033 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1044 ,  C09K2211/185 ,  H01L51/5016 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明的有机金属络合物的特征在于，具有下述通式(1)所示的结构。式中，R1～R5表示氢、卤素、酰基、烷基、烷氧基、芳基、氰基、杂环残基的任一种；Ar表示具有吸电子性取代基的芳基或者具有吸电子性取代基的杂环残基；M表示第9族元素或第10族元素。

公开(公告)号：CN101859877A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN201010161317.5

申请日：2004-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 井上英子 ,  瀬尾哲史 ,  下垣智子 ,  安部寛子

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56 ,  H01L27/32 ,  C07F15/00 ,  C09K11/06

CPC classification number: H01L51/0085 ,  C07F15/0033 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1044 ,  C09K2211/185 ,  H01L51/5016 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明的发光元件包括阳极、阴极、及阳极和阴极之间的包含具有下述通式(1)所示结构的有机金属络合物的层，式中R1～R5表示选自氢、卤素、酰基、烷基、烷氧基、芳基、氰基和杂环残基的任一种，Ar表示具有卤素基团或卤代烷基的芳基、或者具有卤素基团或卤代烷基的杂环残基，M表示第9族元素。

公开(公告)号：CN1890255A

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN200480035633.0

申请日：2004-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 井上英子 ,  瀬尾哲史 ,  下垣智子 ,  安部寛子

IPC: C07F15/00 ,  C09K11/06 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L51/0085 ,  C07F15/0033 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1044 ,  C09K2211/185 ,  H01L51/5016 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明的有机金属络合物的特征在于，具有下述通式(1)所示的结构。式中，R1～R5表示氢、卤素、酰基、烷基、烷氧基、芳基、氰基、杂环残基的任一种；Ar表示具有吸电子性取代基的芳基或者具有吸电子性取代基的杂环残基；M表示第9族元素或第10族元素。