公开(公告)号：CN113228235B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN201980083535.0

申请日：2019-12-03

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 谷本阳祐 ,  长田师门

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  C23C16/44

Abstract: 提供能够在不拆解腔室的状态下将附着在腔室的内表面或者与腔室连接的配管的内表面的含硫的附着物除去的附着物除去方法和成膜方法。使附着在腔室(10)的内表面以及与腔室(10)连接的排气用配管(15)的内表面中的至少一者的含硫的附着物，与含有含氢化合物气体的清洁气体反应，由此将该附着物除去。

公开(公告)号：CN116472259A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202180069583.1

申请日：2021-10-08

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 谷本阳祐 ,  铃木淳

IPC: C07C21/18

Abstract: 提供所填充的E‑1,1,1,4,4,4‑六氟‑2‑丁烯的纯度在长期不易降低的已充气填充容器。已充气填充容器是在填充容器中填充E‑1,1,1,4,4,4‑六氟‑2‑丁烯而得到的。在填充容器之中与所填充的E‑1,1,1,4,4,4‑六氟‑2‑丁烯接触的部分由铜的浓度小于0.5质量％的金属形成。

公开(公告)号：CN111213224B

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN201880066209.4

申请日：2018-10-22

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 谷本阳祐

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H10B41/27 ,  H10B43/27 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供可以将硅氮化物层的蚀刻速度和硅氧化物层的蚀刻速度控制为同等程度、并且即使为高深宽比的孔也可以以高蚀刻速度形成为良好形状的蚀刻方法。通过含有化学式C2HxF(3‑x)Br所示的不饱和卤代烃的蚀刻气体，对具备包含被层叠的硅氧化物层(2)和硅氮化物层(3)的层叠膜1或2。这样，硅氧化物层(2)和硅氮化物层(3)以同等程度的蚀刻速度被进行蚀刻。(5)的被处理体进行处理，所述化学式中的x为0、

公开(公告)号：CN116964718A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202280019716.9

申请日：2022-02-17

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 岩崎淳平 ,  谷本阳祐

IPC: H01L21/3065

Abstract: 提供能够与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻具有氮化硅的蚀刻对象物的蚀刻气体以及蚀刻方法。一种蚀刻气体，含有亚硝酰氟，并且作为杂质含有硝酰氟，硝酰氟的浓度为0.0001质量ppm以上且100质量ppm以下。一种蚀刻方法，具备蚀刻工序，在所述蚀刻工序中使该蚀刻气体与具有蚀刻对象物和非蚀刻对象物的被蚀刻构件(12)接触，与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻蚀刻对象物，所述蚀刻对象物是蚀刻气体的蚀刻对象，所述非蚀刻对象物不是蚀刻气体的蚀刻对象。蚀刻对象物具有氮化硅。

公开(公告)号：CN116490959A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202180071843.9

申请日：2021-10-12

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 岩崎淳平 ,  谷本阳祐 ,  松井一真

IPC: H01L21/3065

Abstract: 抑制对蚀刻装置给予的损伤、并且与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻蚀刻对象物。一种蚀刻方法，具备蚀刻工序，在所述蚀刻工序中，使将含有亚硝酰氟的蚀刻气体进行等离子体化而成的等离子体化蚀刻气体与具有蚀刻对象物和非蚀刻对象物的被蚀刻构件(9)接触，与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻蚀刻对象物。蚀刻工序在容纳被蚀刻构件(9)的腔室(7)内进行，将设置于腔室(7)的外部的远程等离子体发生装置(16)作为等离子体发生源。蚀刻气体中的亚硝酰氟的浓度为0.3体积％以上，蚀刻工序的温度条件为0℃以上且250℃以下、压力条件为100Pa以上且3kPa以下，蚀刻对象物具有氮化硅。

公开(公告)号：CN119736609A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411984911.2

申请日：2020-11-04

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 谷本阳祐

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/30

Abstract: 提供能够不用将腔室拆卸就除去在腔室的内表面或与腔室连接的配管的内表面上附着的含硒附着物的附着物除去方法和成膜方法。通过使在腔室(10)的内表面和与腔室(10)连接的排气用配管(15)的内表面中的至少一者上附着的含硒附着物，与含有含氟化合物气体的清洁气体反应，来除去含硒附着物。

公开(公告)号：CN118055915A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202280066953.0

申请日：2022-09-01

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 大月一晃 ,  小林浩 ,  谷本阳祐

IPC: C07C17/358 ,  B01J23/04 ,  C07B37/08 ,  C07B61/00 ,  C07C21/18

Abstract: 本发明提供一种(E)‑1,1,1,4,4,4‑六氟‑2‑丁烯的制造方法，其即便使用了钠含量多且含有氧化铝的催化剂，也能够以高收率得到(E)‑1,1,1,4,4,4‑六氟‑2‑丁烯。(E)‑1,1,1,4,4,4‑六氟‑2‑丁烯的制造方法具备下述异构化工序：使(Z)‑1,1,1,4,4,4‑六氟‑2‑丁烯与含有氧化铝的催化剂接触，将(Z)‑1,1,1,4,4,4‑六氟‑2‑丁烯异构化成(E)‑1,1,1,4,4,4‑六氟‑2‑丁烯。氧化铝是具有多个细孔的多孔质体，并且中心细孔径为5nm以上且40nm以下。多孔质体所具有的全部细孔之中细孔径在中心细孔径的‑50％以上且+50％以下的范围内的细孔的合计容积的比例相对于总细孔容积为70％以上。

公开(公告)号：CN113874547B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202080039011.4

申请日：2020-11-04

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 谷本阳祐

IPC: C23C16/44

Abstract: 提供附着物除去方法及成膜方法，能够将附着于腔室的内表面或连接于腔室的配管的内表面的含有硒的附着物以不将腔室拆开的方式进行除去。通过使附着于腔室(10)的内表面及连接于腔室(10)的排气用配管(15)的内表面中的至少一方的含有硒的附着物与含有含氢化合物气体的清洁气体进行反应来除去该附着物。

公开(公告)号：CN113261081B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN201980085403.1

申请日：2019-12-10

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 谷本阳祐 ,  长田师门

IPC: H01L21/314

Abstract: 提供能够在不拆解腔室的状态下将附着在腔室的内表面或者与腔室连接的配管的内表面的含硫的附着物除去的附着物除去方法和成膜方法。使附着在腔室(10)的内表面以及与腔室(10)连接的排气用配管(15)的内表面中的至少一者的含硫的附着物，与含有含氟化合物气体的清洁气体反应，由此将该附着物除去。