公开(公告)号：CN116472258A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202180069509.X

申请日：2021-10-08

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 铃木淳

IPC: C07C21/18

Abstract: 提供一种在保存中不易进行异构化反应的氟‑2‑丁烯的保存方法。由通式C4HxFy表示，并且通式中的x为0以上7以下，y为1以上8以下，x+y为8的氟‑2‑丁烯，含有或者不含有氯化氢作为杂质。将所述含有时的气相部的氯化氢浓度设为100体积ppm以下而将该氟‑2‑丁烯保存在容器内。

公开(公告)号：CN116325089A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180070326.X

申请日：2021-10-08

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 铃木淳

IPC: H01L21/3065

Abstract: 提供能够与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻含有硅的蚀刻对象物的蚀刻气体以及蚀刻方法。蚀刻气体含有用通式C4HxFy表示且通式中的x为1以上且7以下、y为1以上且7以下、x+y为8的氟丁烯。在该蚀刻气体中，作为金属杂质含有或不含有铜、锌、锰、钴和硅之中的至少一种，所述含有的情况下的铜、锌、锰、钴和硅的浓度之和为5000质量ppb以下。蚀刻方法具备蚀刻工序，在所述蚀刻工序中，使蚀刻气体与具有蚀刻对象物和非蚀刻对象物的被蚀刻构件(12)接触，与非蚀刻对象物相比选择性地对蚀刻对象物进行蚀刻。蚀刻对象物含有硅。

公开(公告)号：CN113785190B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202080032718.2

申请日：2020-11-12

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 铃木淳

IPC: G01N21/33 ,  G01N21/01

Abstract: 本发明的目的是提供一种高精度的测定方法，在使用紫外分光光度计测定含卤素氟化物气体所含的氟气浓度时，减少因卤素氟化物的光分解而产生的氟气等带来的测定误差。本发明是一种氟气浓度的测定方法，对含卤素氟化物气体照射小于250nm的波长范围内的紫外光强度的最大值(WX)相对于波长为285nm的紫外光强度(WF)之比(WX/WF)在1/10以下的紫外光，测定285nm波长的吸光度，从而得到含卤素氟化物气体所含的氟气浓度。

公开(公告)号：CN118019723A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202280065378.2

申请日：2022-08-10

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 山上树也 ,  小林浩 ,  铃木淳

IPC: C07C17/25 ,  B01J27/132 ,  C07C17/20 ,  C07C21/18 ,  C07B61/00

Abstract: 本发明提供一种能够以高收率得到(E)‑1,1,1,4,4,4‑六氟‑2‑丁烯的制造方法。(E)‑1,1,1,4,4,4‑六氟‑2‑丁烯的制造方法具备下述工序：气化工序，使1,2,3,4‑四氯丁烷气化；和反应工序，在固体催化剂的存在下，使在气化工序中气化了的1,2,3,4‑四氯丁烷与氯气及氟化氢气体以气相进行反应，得到(E)‑1,1,1,4,4,4‑六氟‑2‑丁烯。

公开(公告)号：CN116635708A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202180079952.5

申请日：2021-11-08

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 铃木淳

IPC: G01N21/15

Abstract: 提供能够降低在气室内存在的水的影响从而以高精度分析试样气体中的杂质的气体分析方法。一种气体分析方法，是分析在试样气体中含有的杂质的方法，具备前处理工序和分析工序，在所述前处理工序中，将要被导入试样气体的气室(10)内的水的分压降低至10Pa以下，在所述分析工序中，向实施了前处理工序的气室(10)内导入试样气体，采用拉曼光谱法检测杂质。

公开(公告)号：CN116368111A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202180069513.6

申请日：2021-10-08

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 铃木淳

IPC: C07C21/18

Abstract: 提供一种在保存中不易进行异构化反应的氟‑2‑丁烯的保存方法。由通式C4HxFy表示，并且通式中的x为0以上7以下，y为1以上8以下，x+y为8的氟‑2‑丁烯，含有或者不含有氟化氢作为杂质。将所述含有时的气相部的氟化氢浓度设为100体积ppm以下而将该氟‑2‑丁烯保存在容器内。

公开(公告)号：CN116323526A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180069256.6

申请日：2021-10-08

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 铃木淳

IPC: C07C21/18

Abstract: 提供一种在保存中分解不易进行的氟丁烯的保存方法。由通式C4HxFy表示，并且通式中的x为0以上且7以下，y为1以上且8以下，且x+y为8的氟丁烯，含有或者不含有锰、钴、镍和硅中的至少一种作为金属杂质。将所述含有时的锰、钴、镍和硅的浓度之和设为1000质量ppb以下而将该氟丁烯保存在容器内。

公开(公告)号：CN118679554A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202280091495.6

申请日：2022-12-13

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 铃木淳

IPC: H01L21/3065

Abstract: 提供一种即使是能够将侧蚀刻率抑制为低的低温蚀刻法也不容易产生颗粒的蚀刻方法。蚀刻方法包括：蚀刻工序，使具有蚀刻对象物的被蚀刻部件(4)的温度为0℃以下，使含有蚀刻化合物的蚀刻气体与被蚀刻部件(4)接触，来对蚀刻对象物进行蚀刻，所述蚀刻对象物含有硅，所述蚀刻化合物是在分子内具有氟原子、氢原子以及氧原子中的至少一种原子的化合物。蚀刻气体含有或者不含有具有至少一种金属的金属杂质，在含有金属杂质的情况下，所含有的全部种类的金属的浓度的总和为4000质量ppb以下。

公开(公告)号：CN118679553A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202280091493.7

申请日：2022-12-13

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 铃木淳

IPC: H01L21/3065

Abstract: 提供一种不易发生弯曲和蚀刻停止的低温蚀刻方法。蚀刻方法包括：蚀刻工序，使具有蚀刻对象物的被蚀刻部件(4)的温度为0℃以下，使含有蚀刻化合物的蚀刻气体与被蚀刻部件(4)接触，来对蚀刻对象物进行蚀刻，该蚀刻对象物含有硅。蚀刻气体含有或者不含有高沸点杂质，在含有高沸点杂质的情况下，所含有的全部种类的高沸点杂质的浓度的总和为500体积ppm以下，该高沸点杂质是在分子内具有氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、氢原子以及氧原子中的至少一种原子且在101kPa的压力下的沸点为20℃以上的化合物。

公开(公告)号：CN113767281B

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202080032719.7

申请日：2020-11-12

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 铃木淳

IPC: G01N27/62

Abstract: 本发明的目的是提供一种高精度的测定方法，其在使用质谱仪测定含卤素氟化物气体所含的氟气体浓度时，减少了因气体流路上的金属构件和杂质与氟气发生反应而被消耗所引起的氟气浓度的测定误差。本发明包含一种氟气浓度的测定方法，是使用具有含卤素氟化物气体供给源(16)、含氟气体供给源(14)、配管(24)、毛细管(28)和质谱仪(30)的分析装置(10)来测定含卤素氟化物气体所含的氟气(F2)的浓度的方法，其特征在于，在测定所述氟气浓度之前，利用包含从所述含氟气体供给源供给的含氟气体的钝化用气体，对所述配管和所述毛细管进行钝化处理。