公开(公告)号：CN1954442A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200580015270.9

申请日：2005-05-12

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子管器件株式会社

Inventor： 御子柴佳子 ,  会田博之 ,  川崎泰明 ,  鬼桥浩志 ,  本间克久

IPC: H01L31/115 ,  G01T1/24 ,  H01L27/14 ,  H04N5/32

CPC classification number: H04N5/32 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14676 ,  H01L27/14692 ,  H01L31/02725 ,  H01L31/085

Abstract: 本发明提供能够提高光导电层的检测灵敏度的X射线检测器。使光导电层中含有重金属卤素化合物及卤素。能够形成抑制因X射线照射而引起的暗电流特性、灵敏度特性、以及余像特性的变化而稳定的光导电层。若在光导电层中含有剩余的卤素，则能够抑制在X射线照射时容易产生的重金属卤素化合物晶体结构中的卤素解离、以及伴随该解离而产生的晶体缺陷。卤素的解离，将在该光导电层中产生缺陷能级，成为电荷的深阱，对暗电流特性、灵敏度特性、以及余像特性产生影响。若光导电层中的剩余卤素过多，则卤素析出在晶界。妨碍光导电层的微晶间的导电性，大大妨碍X导电层的灵敏度特性、以及余像特性，余像将延长。

公开(公告)号：CN108476294A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680077174.5

申请日：2016-12-14

Applicant: 东芝电子管器件株式会社

Inventor： 鬼桥浩志

IPC: H04N5/32 ,  G01T7/00 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786 ,  H04N5/353

CPC classification number: G01T1/208 ,  G01T1/2018 ,  G01T7/00 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14663 ,  H01L29/786 ,  H04N5/32 ,  H04N5/353

Abstract: 实施方式的放射线检测器包括：基板；设置在所述基板上并向第一方向延伸的多条控制线；设置在所述基板上并向与所述第一方向相交的第二方向延伸的多条数据线；光电转换部，该光电转换部设置于由所述多条控制线和所述多条数据线划分成的多个区域中的每一个，并具有与对应的所述控制线以及对应的所述数据线电连接的薄膜晶体管和光电转换元件；与所述多条控制线电连接并对多个所述薄膜晶体管的导通状态和截止状态进行切换的控制电路；与所述多条数据线电连接的信号检测电路；与所述信号检测电路电连接的基准电位部；以及与所述信号检测电路电连接的判定部。所述信号检测电路在所述薄膜晶体管处于截止状态时，经由所述数据线检测第一电流积分值，并且对来自所述基准电位部的第二电流积分值进行检测。所述判定部基于检测到的所述第一电流积分值与所述第二电流积分值之差来判定放射线的入射开始时刻。

公开(公告)号：CN108450028A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201780002327.4

申请日：2017-07-14

Applicant: 东芝电子管器件株式会社

Inventor： 鬼桥浩志

IPC: G01T7/00 ,  G01T1/20 ,  G01T1/24 ,  H04N5/32 ,  H04N5/335

CPC classification number: G01T1/247 ,  G01T1/2018 ,  G01T1/208 ,  G01T1/2928 ,  H01L27/14663 ,  H04N5/32 ,  H04N5/357

Abstract: 实施方式所涉及的放射线检测器包括：阵列基板，其具备：在第1方向上延伸的多条控制线；在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸的多条数据线；及设置于由多条所述控制线与多条所述数据线划分的多个区域的各个，与对应的所述控制线和对应的所述数据线电连接，直接或与闪烁体协作地检测放射线的检测部；信号检测电路，该信号检测电路从多个所述检测部读取图像数据信号；噪声检测电路，该噪声检测电路检测噪声；多个第1布线，该多个第1布线各自的一个端部与所述数据线电连接，各自的另一个端部与所述信号检测电路电连接；以及第2布线，该第2布线的一个端部不与电连接有多个所述检测部的所述数据线电连接，另一个端部与所述噪声检测电路电连接。

公开(公告)号：CN1628254A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN03803322.4

申请日：2003-02-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 本间克久 ,  会田博之 ,  伊藤健一 ,  藤泽晶子 ,  鬼桥浩志

IPC: G01T1/20

CPC classification number: G01T1/2018

Abstract: 在具有设置在单位像素上的将X射线变换成光的闪烁层38、将在闪烁层38上变换成的光作为电荷贮存的贮存用电容器15、及将相邻单位像素的闪烁层38间分割的隔壁层39的X射线检测器中，闪烁层38含荧光材料I，隔壁层含光学特性和荧光材料IP1不同的第二种荧光体P2，而且第二种荧光体P2发出的荧光波长具有和荧光材料IP1发出的最短的荧光波长相等或比其长的成分。

公开(公告)号：CN100335914C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN03803322.4

申请日：2003-02-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 本间克久 ,  会田博之 ,  伊藤健一 ,  藤泽晶子 ,  鬼桥浩志

IPC: G01T1/20 ,  A61B6/00

CPC classification number: G01T1/2018

Abstract: 在具有设置在单位像素上的将X射线变换成光的闪烁层38、将在闪烁层38上变换成的光作为电荷贮存的贮存用电容器15、及将相邻单位像素的闪烁层38间分割的隔壁层39的X射线检测器中，闪烁层38含荧光材料I，隔壁层含光学特性和荧光材料IP1不同的第二种荧光体P2，而且第二种荧光体P2发出的荧光波长具有和荧光材料IP1发出的最短的荧光波长相等或比其长的成分。