公开(公告)号：CN1628254A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN03803322.4

申请日：2003-02-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 本间克久 ,  会田博之 ,  伊藤健一 ,  藤泽晶子 ,  鬼桥浩志

IPC: G01T1/20

CPC classification number: G01T1/2018

Abstract: 在具有设置在单位像素上的将X射线变换成光的闪烁层38、将在闪烁层38上变换成的光作为电荷贮存的贮存用电容器15、及将相邻单位像素的闪烁层38间分割的隔壁层39的X射线检测器中，闪烁层38含荧光材料I，隔壁层含光学特性和荧光材料IP1不同的第二种荧光体P2，而且第二种荧光体P2发出的荧光波长具有和荧光材料IP1发出的最短的荧光波长相等或比其长的成分。

公开(公告)号：CN1643399A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN03807136.3

申请日：2003-03-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤健一 ,  会田博之 ,  小柳津英二 ,  福田幸洋 ,  齐藤昭久 ,  藤泽晶子 ,  本间克久

IPC: G01T1/20

CPC classification number: G01T1/2018

Abstract: X射线检测器具备用隔板39分离每个像素的闪烁体层38与将该闪烁体层38变换的荧光变换为信号电荷的光电二极管13，其中当形成闪烁体层38的荧光体粒子的平均粒径为Ds、构成隔板39的粒子的平均粒径为Dw时，Ds＞Dw。

公开(公告)号：CN100335914C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN03803322.4

申请日：2003-02-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 本间克久 ,  会田博之 ,  伊藤健一 ,  藤泽晶子 ,  鬼桥浩志

IPC: G01T1/20 ,  A61B6/00

CPC classification number: G01T1/2018

Abstract: 在具有设置在单位像素上的将X射线变换成光的闪烁层38、将在闪烁层38上变换成的光作为电荷贮存的贮存用电容器15、及将相邻单位像素的闪烁层38间分割的隔壁层39的X射线检测器中，闪烁层38含荧光材料I，隔壁层含光学特性和荧光材料IP1不同的第二种荧光体P2，而且第二种荧光体P2发出的荧光波长具有和荧光材料IP1发出的最短的荧光波长相等或比其长的成分。