公开(公告)号：CN115118257B

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202110811078.1

申请日：2021-07-19

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 鹰居直也 ,  泷藤之博 ,  斋藤圭太 ,  田中和喜

IPC: H03K17/08 ,  H02H5/04 ,  H02H3/08

Abstract: 实施方式提供一种半导体继电装置，其由绝缘分离的输入侧和输出侧构成，即使在输出侧不包含恒流源，也能够保护输出侧的设备免受过热的影响。实施方式的半导体继电装置包含转换电路部、齐纳二极管、串联连接的n个二极管、晶闸管以及晶体管。转换电路部基于输入信号使第一电流在第一节点流过。齐纳二极管具有与第二节点连接的阳极以及与第一节点连接的阴极。n个二极管中的第一端的一个二极管的阳极与第一节点连接，n个二极管中的第二端的一个二极管的阴极与第三节点连接。晶闸管包含与第一节点连接的阴极、与第二节点连接的阳极以及与第三节点连接的控制端子。晶体管具有与第一节点连接的栅极。

公开(公告)号：CN111403542B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN201910635635.1

申请日：2019-07-15

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 斋藤圭太 ,  鹰居直也

IPC: H01L31/12 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0203 ,  H01L25/16

Abstract: 实施方式提供能够实现大电流输出的光耦合装置及其安装部件。实施方式的光耦合装置具有安装部件、第一MOSFET、第二MOSFET、半导体受光元件、半导体发光元件、第一布线部、第二布线部、第三布线部、以及封固树脂层。半导体受光元件以跨越第一MOSFET与第二MOSFET之间的间隙部的方式与第一MOSFET以及第二MOSFET接合，一方的电极与第一以及第二MOSFET的栅极连接，另一方的电极与第一以及第二MOSFET的源极连接。第一布线部跨越第一直线而连接第一MOSFET的源极和第二MOSFET的源极。第二布线部连接第一引线的弯曲部的前端部和半导体发光元件的一方的电极。第三布线部连接第二引线的弯曲部的前端部和半导体发光元件的另一方的电极。

公开(公告)号：CN115118257A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202110811078.1

申请日：2021-07-19

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 鹰居直也 ,  泷藤之博 ,  斋藤圭太 ,  田中和喜

IPC: H03K17/08 ,  H02H5/04 ,  H02H3/08

Abstract: 实施方式提供一种半导体继电装置，其由绝缘分离的输入侧和输出侧构成，即使在输出侧不包含恒流源，也能够保护输出侧的设备免受过热的影响。实施方式的半导体继电装置包含转换电路部、齐纳二极管、串联连接的n个二极管、晶闸管以及晶体管。转换电路部基于输入信号使第一电流在第一节点流过。齐纳二极管具有与第二节点连接的阳极以及与第一节点连接的阴极。n个二极管中的第一端的一个二极管的阳极与第一节点连接，n个二极管中的第二端的一个二极管的阴极与第三节点连接。晶闸管包含与第一节点连接的阴极、与第二节点连接的阳极以及与第三节点连接的控制端子。晶体管具有与第一节点连接的栅极。

公开(公告)号：CN117727767A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202211675250.6

申请日：2022-12-26

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 斋藤圭太 ,  富田幸太 ,  西胁达也 ,  齐藤泰伸

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 实施方式涉及半导体装置，能够提供一种能降低导通电阻的半导体装置。半导体装置具备：第一电极；半导体部分，配置在所述第一电极上；第二电极，配置在所述半导体部分上的第一区域中；第三电极，配置在所述半导体部分上的第二区域中；绝缘构件，配置在所述半导体部分内的所述第一区域和所述第二区域中；第四电极，配置在所述绝缘构件内的所述第一区域和所述第二区域中；第五电极，配置在所述绝缘构件内的所述第一区域和所述第二区域中的、所述第一电极与所述第四电极之间；以及导电构件，配置在所述第二区域中，与所述第三电极、所述第四电极和所述第五电极连接。

公开(公告)号：CN111403542A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201910635635.1

申请日：2019-07-15

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 斋藤圭太 ,  鹰居直也

IPC: H01L31/12 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0203 ,  H01L25/16

Abstract: 实施方式提供能够实现大电流输出的光耦合装置及其安装部件。实施方式的光耦合装置具有安装部件、第一MOSFET、第二MOSFET、半导体受光元件、半导体发光元件、第一布线部、第二布线部、第三布线部、以及封固树脂层。半导体受光元件以跨越第一MOSFET与第二MOSFET之间的间隙部的方式与第一MOSFET以及第二MOSFET接合，一方的电极与第一以及第二MOSFET的栅极连接，另一方的电极与第一以及第二MOSFET的源极连接。第一布线部跨越第一直线而连接第一MOSFET的源极和第二MOSFET的源极。第二布线部连接第一引线的弯曲部的前端部和半导体发光元件的一方的电极。第三布线部连接第二引线的弯曲部的前端部和半导体发光元件的另一方的电极。